AI運算需求持續推升先進製程競賽，正積極重建晶圓代工版圖的英特爾（Nasdaq：INTC）17日宣布，旗下Intel 18A家族效能強化版「Intel 18A-P」已正式進入風險量產（Risk Production）階段。相較於原有Intel 18A製程，18A-P可在相同功耗下提供最高9%的效能提升，或在相同性能下降低最高18%的功耗，也代表英特爾晶圓代工（Intel Foundry）最先進製程正持續朝量產目標推進，爭取AI、高效能運算（HPC）及資料中心等客戶訂單。
英特爾執行副總裁暨英特爾晶圓代工總經理Naga Chandrasekaran表示，此次於VLSI研討會公布的最新進展，再次展現英特爾長期投入先進製程創新的承諾。他坦言，團隊仍有許多工作需要持續推進，但很高興能分享Intel 18A-P以及更長期研發計畫的重要成果。
18A-P進入風險量產 代工布局重要里程碑
對於近年積極發展晶圓代工業務的英特爾而言，18A製程被視為重返先進製程競爭的重要節點。此次進入風險量產階段，代表製程已完成主要開發工作，開始進入量產前驗證與客戶導入階段，亦是邁向正式量產的重要里程碑。
根據英特爾公布資料，18A-P是在18A基礎上進一步優化而來，並維持與18A完全相容的設計規則。換言之，原本針對18A開發的IP模組與設計流程可直接沿用，有助於客戶縮短產品開發時程與驗證成本。
此外，18A-P新增更多電晶體與邏輯元件選項，讓晶片設計團隊能依照不同產品需求，在效能與功耗之間取得更好的平衡。
效能提升9%、功耗降低18% 瞄準AI與高效能運算需求
在AI晶片與資料中心持續追求更高運算密度的背景下，提升效能同時降低能耗已成為先進製程的重要課題。
英特爾表示，透過電晶體設計、互連技術以及設計與製程協同最佳化（DTCO）等技術改良，18A-P在相同功耗下可提供最高9%的效能提升；若維持相同效能，則可降低最高18%的功耗。
同時，18A-P也導入最新Power Boost技術，透過新的雙接點結構與低電阻電晶體設計，提高電流驅動能力與運作頻率。此外，藉由材料與結構優化，晶片散熱能力可提升約20%至40%，有助於支援日益增加的AI運算負載。
在訊號傳輸方面，英特爾亦透過改善晶片內部垂直互連通孔（Via）設計，將電阻降低約10%至30%，進一步提升資料傳輸效率。
背面供電與環繞式閘極技術逐步成熟
除了18A-P本身的進展外，英特爾也於VLSI研討會分享去年率先導入的兩項關鍵技術，包括環繞式閘極（Gate-All-Around，GAA）電晶體以及背面供電（Backside Power Delivery）架構的最新成果。
傳統晶片設計中，訊號線與供電線通常位於同一側，容易產生佈線擁擠與電力傳輸瓶頸；而背面供電技術則將供電路徑移至晶片背面，讓訊號傳輸與電力供應分流，有助於提升效能與降低功耗。
英特爾晶圓代工副總裁暨院士Eric Karl指出，相較於傳統正面供電架構，結合背面供電與環繞式閘極技術後，可減少11%的佈線面積，並將動態電壓驟降降低達10倍，進一步帶來最高6%的運作頻率提升，或超過15%的動態功耗降低。
