中國半導體設備傳出最新突破，據中媒《快科技》報導，中國科學院近日成功研發突破性的深紫外光曝光機 (DUV) ，可發射波長193nm的光子，與目前主流波長一致，理論上能將半導體工藝推進至3奈米，並且在技術上與艾司摩爾（ASML）、佳能（Canon）、尼康（Nikon）等國際大廠不同；不過目前輸出功率、頻率都與商用水準有落差，仍需繼續研發。
綜合報導指出，中國科學院團隊近日在《國際光電工程學會》期刊公佈研究成果，表示該技術通過創新性的固態雷射方案，成功輸出193nm波長的相干光，理論上可支撐半導體製造工藝延伸至3奈米節點，為中國光刻技術自主化開闢了新路徑。
當前全球光刻機巨頭艾司摩爾、尼康、佳能使用的DUV系統，均依賴氟化氙 (ArF) 準分子雷數技術，該技術透過氬氟混合氣體，釋放出193nm波長的光子，輸出功率100到120W，頻率8k到9kHz，系統複雜程度高且能耗較大。
報導指出，而這次中國科學院的固態DUV雷射技術，完全基於固態設計，由自製的晶體放大器產生1030nm的雷射，在通過兩條不同的光學路徑進行波長轉換，一路轉換後最終生成193nm波長的雷射光束，平均功率為70mW，頻率為6kHz，光譜純度與現有商用準分子雷射系統相當。
報導稱，該技術與艾司摩爾等大廠的技術路線不同，除可繞開技術與專利封鎖，也大幅降低微影系統的複雜度、體積，同時減少對稀有氣體的依賴並降低能耗。不過目前的輸出功率和頻率都還和商用標準低很多，頻率雖有3分之2，但功率僅標準的0.7％，因此還需繼續迭代，提升技術才能進入商用。
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