晶圓代工龍頭台積電(2330)與半導體設備大廠艾司摩爾(ASML)宣布發起產業合作,共同推動High NA EUV光罩由現行6吋升級至12吋,目標於2031年前建立12吋光罩試產線,並於2033年前讓12吋High NA EUV微影系統全面就緒,以支援先進製程量產。台積電指出,擴大光罩尺寸有望提升晶圓廠生產力、降低晶片製造成本,同時解除High NA EUV......
高數值孔徑極紫外光(High NA EUV)技術正從先進邏輯晶片跨入記憶體製造。Samsung Electronics今(8)日宣布擴大與艾司摩爾(ASML,NASDAQ:ASML)的策略合作,計畫於2028年前將High NA EUV導入未來DRAM大量製造,並以業界首度在DRAM量產採用這項技術為目標。除了布局DRAM,Samsung也將加入下一代12吋......
繼台積電(2330)宣布攜手艾司摩爾(ASML,NASDAQ:ASML)推動12吋High NA EUV光罩後,英特爾(Intel,NASDAQ:INTC)今(8)日也公布最新進展。Intel Foundry目前已在大量製造環境中使用High NA EUV,並將其導入Intel 18A部分製程層、生產部分代號Panther Lake的Intel Core U......
全球晶圓製造龍頭台積電與曝光機大廠艾司摩爾(ASML)今(8)日宣布發起合作,共同引領半導體產業轉移升級至更大尺寸的極紫外光(EUV)微影光罩,High NA EUV將自現行的6吋光罩,轉移至更大的12吋光罩,計劃於2031年前建立試產線,2033年導入先進製程量產。台積電與ASML表示,從6吋光罩轉移至12吋光罩,預期將進一步提升晶圓廠的生產力、降低晶片製......
為替高數值孔徑極紫外光(High NA EUV)技術進入先進製程量產掃除雙光罩拼接限制,台積電(2330)與全球微影設備大廠艾司摩爾(ASML,NASDAQ:ASML)今(8)日宣布展開產業合作,將High NA EUV光罩由現行6吋升級至12吋。雙方目標於2031年前建立12吋光罩試產線,並於2033年前讓相關微影系統全面就緒,支援先進製程量產。台積電並表......
High NA EUV(高數值孔徑極紫外光微影)把數值孔徑從0.33提高至0.55,帶來更高解析度及成像對比,卻也同時縮小景深與曝光視場,衍生對焦裕度不足、晶片圖形必須拼接兩大難題。ASML(NASDAQ:ASML;Euronext Amsterdam:ASML)High NA EUV產品管理資深副總裁Greet Storms於SEMICON Taiwan ......
High NA EUV(高數值孔徑極紫外光微影)正式跨越研發驗證,邁向高量產製造。ASML(NASDAQ:ASML;Euronext Amsterdam:ASML)High NA EUV產品管理資深副總裁Greet Storms於SEMICON Taiwan 2026指出,EXE:5200B已在AB模式下達到每小時135片晶圓的驗收產能,全球EXE系統累計曝......
AI帶動的半導體投資熱潮持續延燒,全球微影設備龍頭ASML於15日公布2026年第二季財報,不僅營收、毛利率雙雙優於公司原先財測,更釋出對未來數年的擴產計畫。ASML宣布,因AI帶動先進邏輯與記憶體晶片需求持續增長,將於2027年同步擴充Low NA EUV與浸潤式DUV微影設備產能各30%,並評估2028年再進一步增加30%產能,顯示公司看好AI晶片需求將......