晶圓代工龍頭台積電（2330）與半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）宣布發起產業合作，共同推動High NA EUV光罩由現行6吋升級至12吋，目標於2031年前建立12吋光罩試產線，並於2033年前讓12吋High NA EUV微影系統全面就緒，以支援先進製程量產。台積電指出，擴大光罩尺寸有望提升晶圓廠生產力、降低晶片製造成本，同時解除High NA EUV採用現行6吋光罩時面臨的曝光拼接限制。
台積電、ASML推12吋光罩 2031年前建立試產線
台積電與ASML於美國加州蒙特雷舉行的BACUS國際光學工程學會（SPIE）先進微影技術研討會前宣布合作，將共同推動半導體產業轉向更大尺寸的EUV微影光罩。
依雙方規畫，High NA EUV將由現行6吋光罩逐步轉向12吋光罩，並於2031年前建立12吋光罩試產線，目標於2033年前讓12吋High NA EUV微影系統全面就緒，以支援先進製程量產。
台積電表示，採用12吋光罩可望進一步提升晶圓廠生產力並降低晶片製造成本，同時解除High NA EUV採用現行6吋光罩時面臨的曝光拼接限制，讓先進晶片製造業者進一步發揮High NA EUV的效益。
台積電有意2030年導入High NA 曝光光罩層數估持續增加
台積電表示，有意自2030年起，在先進製程量產中導入ASML的High NA技術。隨著製程技術持續推進，尤其AI應用所需的電晶體架構日益複雜，預期需要使用High NA EUV曝光的光罩層數也將增加。
ASML總裁暨執行長Christophe Fouquet表示，隨著元件微縮藍圖持續推進，High NA EUV的採用程度將逐步提高，初期仍會沿用現行6吋光罩，後續再轉向12吋光罩，以進一步提升設備生產力，協助產業滿足市場對更小、更快、更節能晶片的需求。
Fouquet指出，這項合作在初期即獲得半導體製造商、光罩廠商及相關合作夥伴支持。台積電也表示，多家關鍵生態系夥伴與供應商已表達參與意願。
輝達GPU尺寸增加成推力？專家點出6吋光罩痛點
半導體產業專家指出，半導體製造業採用6吋光罩曝光生產已行之多年，但隨著High NA EUV單次曝光面積縮小，加上AI晶片設計日益複雜，包括輝達（NVIDIA）GPU日益複雜、晶片尺寸增加，使現行6吋光罩在先進製程應用上面臨新的限制。
專家表示，升級至更大的12吋光罩，可望解除High NA EUV採用現行6吋光罩時面臨的曝光拼接限制，不僅有助提高生產力，也能增加大型GPU晶片設計的彈性。
不過，光罩由6吋升級至12吋牽涉整體半導體生態系調整，除了晶圓製造及微影設備之外，電子設計自動化（EDA）、光阻劑、光罩盒等相關環節也需要共同投入。專家指出，英特爾（Intel）及三星（Samsung）也參與推動12吋光罩技術的產業倡議，有助擴大產業規模及供應鏈投入意願。
魏哲家：產業攜手才能解決複雜問題
台積電董事長暨總裁魏哲家表示，台積電深信唯有產業攜手解決複雜問題，才能開創單一企業無法獨力實現的可能；透過匯聚產業價值鏈的專業能力，期許持續透過創新降低門檻，讓先進解決方案得以大規模普及。
台積電與ASML此次發起的產業合作倡議，將以2031年前建立12吋光罩試產線為階段性目標，並進一步為2033年前12吋High NA EUV微影系統全面就緒、支援先進製程量產預作準備。
12吋光罩題材點火供應鏈 家登、光罩攻漲停
台積電與ASML攜手推動12吋光罩的消息，也帶動相關概念股今（9）日獲得市場關注。台積電今日以2,480元開出，較前一交易日收盤2,470元上漲10元；早盤股價維持紅盤震盪，一度來到2,490元。 （相關報導： 美股AI買滿、台股重倉怎麼配？阮慕驊點名這檔「一次打包台日韓」：台積電比重僅10% ｜ 更多文章 ）
相關供應鏈同步受到資金關注，其中光罩載具廠家登（3680）開盤即攻上573元漲停價，不過鄰近午盤漲停打開；光罩（2338）也於開盤攻上漲停，並且緊鎖漲停價。台積電概念股方面，截至上午11點40分，愛普*上漲逾8%，帆宣上漲逾6%，台勝科、千附、公準上漲逾5%。
