# 12吋光罩  

高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）技術正從先進邏輯晶片跨入記憶體製造。Samsung Electronics今（8）日宣布擴大與艾司摩爾（ASML，NASDAQ：ASML）的策略合作，計畫於2028年前將High NA EUV導入未來DRAM大量製造，並以業界首度在DRAM量產採用這項技術為目標。除了布局DRAM，Samsung也將加入下一代12吋......

全球晶圓製造龍頭台積電與曝光機大廠艾司摩爾（ASML）今（8）日宣布發起合作，共同引領半導體產業轉移升級至更大尺寸的極紫外光（EUV）微影光罩，High NA EUV將自現行的6吋光罩，轉移至更大的12吋光罩，計劃於2031年前建立試產線，2033年導入先進製程量產。台積電與ASML表示，從6吋光罩轉移至12吋光罩，預期將進一步提升晶圓廠的生產力、降低晶片製......

為替高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）技術進入先進製程量產掃除雙光罩拼接限制，台積電（2330）與全球微影設備大廠艾司摩爾（ASML，NASDAQ：ASML）今（8）日宣布展開產業合作，將High NA EUV光罩由現行6吋升級至12吋。雙方目標於2031年前建立12吋光罩試產線，並於2033年前讓相關微影系統全面就緒，支援先進製程量產。台積電並表......