# 12吋光罩  

先進製程競爭，是否代表新設備愈早導入愈好？台積電（2330）董事長暨總裁魏哲家今（15）日在法說會回應High NA EUV導入時點時表示，公司目前規畫2030年開始採用，評估關鍵包括技術、合理成本與成熟度。他並不認為，競爭者較早使用這類設備，就使台積電處於技術劣勢。法人在問答時指出，部分競爭者已採用、或規畫比台積電更早導入高數值孔徑極紫外光微影設備（Hig......

高數值孔徑極紫外光微影（High NA EUV）的量產導入時程逐漸明朗。艾司摩爾（ASML）執行長Christophe Fouquet今（14）日表示，台積電（2330）確認將在2030年前後，把High NA導入大量生產；三星電子（005930，韓國交易所）則規劃從2028年開始用於大量生產。Fouquet指出，High NA計畫啟動至今已超過十年，如今各......

晶圓代工龍頭台積電（2330）與半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）宣布發起產業合作，共同推動High NA EUV光罩由現行6吋升級至12吋，目標於2031年前建立12吋光罩試產線，並於2033年前讓12吋High NA EUV微影系統全面就緒，以支援先進製程量產。台積電指出，擴大光罩尺寸有望提升晶圓廠生產力、降低晶片製造成本，同時解除High NA EUV......

高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）技術正從先進邏輯晶片跨入記憶體製造。Samsung Electronics今（8）日宣布擴大與艾司摩爾（ASML，NASDAQ：ASML）的策略合作，計畫於2028年前將High NA EUV導入未來DRAM大量製造，並以業界首度在DRAM量產採用這項技術為目標。除了布局DRAM，Samsung也將加入下一代12吋......

全球晶圓製造龍頭台積電與曝光機大廠艾司摩爾（ASML）今（8）日宣布發起合作，共同引領半導體產業轉移升級至更大尺寸的極紫外光（EUV）微影光罩，High NA EUV將自現行的6吋光罩，轉移至更大的12吋光罩，計劃於2031年前建立試產線，2033年導入先進製程量產。台積電與ASML表示，從6吋光罩轉移至12吋光罩，預期將進一步提升晶圓廠的生產力、降低晶片製......

為替高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）技術進入先進製程量產掃除雙光罩拼接限制，台積電（2330）與全球微影設備大廠艾司摩爾（ASML，NASDAQ：ASML）今（8）日宣布展開產業合作，將High NA EUV光罩由現行6吋升級至12吋。雙方目標於2031年前建立12吋光罩試產線，並於2033年前讓相關微影系統全面就緒，支援先進製程量產。台積電並表......