AI資料中心持續擴建,帶動記憶體、載板與高階材料同步吃緊,但不同零組件的解缺時間並不一致。資策會產業情報研究所(MIC)8日預估,NAND最快可望於2027年底至2028年率先緩解,T-Glass則可能在2027年下半年出現供需轉折;但HBM與一般DRAM在2027至2028年仍難解,高階MLCC、ABF載板、ABF增層膜及高階CCL,也要等待2028年新增產能陸續開出,供需才有機會改善。
MIC副所長林柏齊於2026 MIC FORUM Fall《躍進 AI Leap》研討會指出,全球科技巨擘與各國政府同步擴建AI基礎建設,全球主要資料中心新增受電容量,預估將由2025年的13.2GW增至2028年的35.2GW,四年接近3倍;其中AI資料中心更將由7.8GW增至25.4GW,增幅超過3倍,漲價與缺料效應也由AI伺服器外溢至其他ICT產品。
HBM吃下更多晶圓 一般DRAM跟著供應緊繃
MIC分析,HBM每位元所需晶圓約為一般DRAM的3至4倍,加上部分DRAM及NAND產能轉作HBM,使一般DRAM供給同步收緊。
雖然SK海力士、三星、美光及力積電(6770)等業者持續規劃新產能,但AI系統架構快速演進,晶片及記憶體搭載量也不斷增加,MIC研判HBM與一般DRAM供需在2027至2028年仍難完全解決。
高階MLCC也面臨類似情況。部分主要業者每年擴產約10%至15%,但新一代AI運算板的MLCC用量增加逾50%,MIC預估2027年供應仍緊,2028年能否平衡仍待觀察。
NAND最快2027年底鬆動 ABF與CCL等2028年新產能
相較之下,NAND較有機會率先緩解。MIC指出,中國及國際記憶體業者的新產能將陸續開出,加上新一代製程提高位元密度、消費性電子需求下滑,部分QLC NAND價格已出現鬆動跡象,預估2027年底至2028年供需可望改善。
T-Glass則可能於2027年下半年迎來轉折。日本及台灣業者持續擴產,但AI伺服器載板的面積放大、層數增加與厚核心設計,也同步推升用量,實際緩解程度仍須觀察。
ABF載板方面,台、日、韓主要供應商的有效新增產能大多要到2028年第一季才會陸續到位。雖然部分業者規劃將產能擴大20%至40%,甚至達目前的2.5倍,但新一代AI平台的載板面積及層數也同步提高,MIC判斷2028年才較可能緩解。
ABF增層膜預估2027年仍緊,2028年逐步改善;高階CCL則因含浸機交期長達1.5至2年,加上材料規格升級,2027年仍難解,須等待2028年產能開出後才有機會舒緩。
換言之,「缺料延續至2028年」不代表所有零組件會在2028年同時恢復平衡,而是多數品項最快要到2028年才可能陸續改善,HBM與一般DRAM仍是最難快速解除的環節。 (相關報導: 2026 MIC FORUM》美國用AI查「洗產地」!台灣與日韓、歐盟列轉運風險Tier 1,陳信宏:原產地證明已不夠 | 更多文章 )
AI伺服器明年增17.8% 筆電、手機同步衰退
關鍵零組件大量流向AI資料中心,也讓2027年資通訊產品出貨呈現明顯分化。MIC預估,2027年全球伺服器出貨將達1,860萬台,年增12.4%;其中AI伺服器出貨達540萬台,年增17.8%,增幅高於整體伺服器市場。













































