助攻High-NA EUV新材料驗證！汎銓攜手國研院布局「類 FAB」技術，盼縮短先進製程試產週期

先進製程持續微縮，新材料與新結構從研發走向量產前，必須經過更多製程驗證。半導體材料分析業者汎銓（6830）27日宣布，攜手國家實驗研究院國家儀器科技研究中心，發展「類 FAB 產線驗證技術」，將服務從製程完成後的材料分析，延伸至量產前的製程模擬與驗證。汎銓表示，透過在接近實際產線條件下觀察材料反應，可望提早發現問題，減少進入晶圓廠試產後反覆調整的時間與成本。

隨著極紫外光微影（EUV）、高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）、新材料及先進封裝陸續導入，製程研發的驗證項目與複雜度也隨之提高。汎銓指出，若只在製程完成後進行材料分析，較難即時掌握材料在不同製程條件下的反應；因此，業者開始需要能連結製程條件與材料變化的驗證方式。

汎銓與國研院國儀中心發展的類 FAB 技術，主要在接近實際產線條件的環境中模擬關鍵製程，觀察材料反應，再銜接後續樣品製備與結構分析。汎銓規劃整合低溫至高溫原子層沉積（ALD）、類 FAB 產線驗證，以及穿透式電子顯微鏡（TEM）等材料分析能力，從製程模擬、生產驗證到結果分析，建立較完整的服務流程。

類 FAB 著重研發階段的製程模擬與驗證，並非正式晶圓廠的量產線。透過先在模擬環境中觀察製程對材料結構的影響，汎銓認為，有助於客戶在正式試產前掌握可能的問題，縮短研發驗證循環。不過，汎銓此次未提供實際縮短試產時間或降低成本的量化數據，相關效益仍待後續客戶案例驗證。

雙方合作並非從此次宣布才開始。汎銓表示，去年起即運用國研院國儀中心「先進半導體材料分析技術研發平台」的資源與設備，投入類 FAB 驗證技術發展；汎銓原有的 ALD 能力也由低溫應用延伸至高溫製程，可依材料特性與驗證需求調整條件。

汎銓既有的低溫 ALD 覆蓋分析技術，則是其先進製程分析能力之一。這項技術可在金屬氧化物光阻劑（MOR）表面形成均勻、緻密的奈米級保護層，降低分析過程中光阻因受熱而損傷或變形的可能，使分析結果更接近材料原始狀態。

汎銓指出，該技術曾獲艾司摩爾（ASML，荷蘭掛牌，ASML）在國際光電工程學會（SPIE）論壇發表 High-NA EUV 微影製程技術時引用。這項成果呈現的是汎銓在材料分析上的既有技術經驗；類 FAB 驗證則是雙方合作後，將服務進一步延伸至製程模擬與量產前驗證的布局。

汎銓表示，未來先進製程與先進封裝開發節奏加快，客戶對第三方分析服務的需求，可能從確認製程結果，進一步延伸到協助驗證製程、提早發現問題。汎銓將持續深化與國研院國儀中心的合作，結合低溫至高溫 ALD、類 FAB 驗證與材料分析能力，拓展新材料、新製程及先進封裝的前期研發驗證服務。