SEMICON Taiwan 2026直擊》High NA EUV迎量產元年！ASML：全球曝光逾135萬片、英特爾18A領頭投產

High NA EUV（高數值孔徑極紫外光微影）正式跨越研發驗證，邁向高量產製造。ASML（NASDAQ：ASML；Euronext Amsterdam：ASML）High NA EUV產品管理資深副總裁Greet Storms於SEMICON Taiwan 2026指出，EXE:5200B已在AB模式下達到每小時135片晶圓的驗收產能，全球EXE系統累計曝光更突破135萬片；英特爾（NASDAQ：INTC）也已在部分採用Intel 18A製程、代號Panther Lake的Core Ultra Series 3處理器中，使用High NA EUV技術進入高量產，成為這項新一代微影技術首個邏輯量產案例。

不過，High NA EUV能否從少數產品擴大至更多先進製程層，仍要跨過設備可用率與生產成本兩道關卡。目前全球High NA EUV機隊可用率已提升至84%，ASML設定2026年第四季達到90%，中長期再朝93%改善；同時規劃在本十年末，將EXE平台的AB模式生產力推升至每小時180片。

ASML簡報顯示，截至2026年7月中旬，全球EXE系統累計曝光已超過135萬片晶圓，目前共有10套High NA EUV系統在4家客戶端運作並符合完整規格，另有3套系統正在出貨及安裝。累計曝光量中，EXE:5000約占70%，EXE:5200B約占30%。

這項數據並不等同已有135萬片商用晶片出貨，而是涵蓋客戶驗證、製程開發及量產學習所累積的曝光量。對ASML而言，客戶操作次數增加，可加速設備問題辨識、製程參數調整及機隊學習循環，縮短High NA EUV進入高量產製造（High Volume Manufacturing，HVM）的時間。

Storms表示，High NA EUV系統開發的主要挑戰，是讓設備在達成疊對、成像及對焦規格的同時，也能達到每小時135片的目標生產力。她說，這是研發團隊歷經多年開發、尤其近幾個月持續改善後的重要成果。

ASML簡報援引英特爾第二季資訊指出，Intel Foundry已針對部分代號Panther Lake的Core Ultra Series 3處理器進入高量產，並在Intel 18A製程中使用ASML EXE High NA EUV技術。

這代表High NA EUV不再只是2030年代先進節點的技術儲備，而是先從部分產品及有限製程層切入實際生產。透過第一批量產產品累積經驗後，晶圓廠才能進一步掌握曝光穩定度、光阻表現、良率、設備維護及單片晶圓成本。 （相關報導： 技術解密》High NA EUV對焦與拼接難題有解！兩層金屬加一層導通孔變一次曝光，ASML攜手imec開創新局 ｜ 更多文章 ）

Storms指出，從成像、疊對、EXE:5200B生產力，到機隊可用率逐步提升，High NA EUV已獲得客戶認可，具備支援高量產的能力。她說：「這顯示這套設備現在已可以用於高量產製造。」

在生產力方面，獲得認證的EXE:5200B於AB模式下達每小時135片，較EXE:5000的每小時100片提升35%；AA模式則由每小時110片提高至175片，增幅達59%。

設備成像測試顯示，14奈米接觸孔的晶圓內臨界尺寸均勻度（Full Wafer Critical Dimension Uniformity，FWCDU）達0.4奈米，對焦均勻度為4.3奈米；雙光罩測試下的機台間疊對精度則約為0.6奈米及0.5奈米。

Storms表示，EXE:5200B與0.33 NA的NXE:3800E相比，機台間疊對精度已具可比性，部分表現甚至更好，多數High NA系統已接近0.6奈米。ASML也追蹤全球6套系統的長期數據，結果顯示疊對及對焦表現均能穩定維持於規格範圍內。

她強調，設備在初始測試達標並不足以證明能夠量產，疊對、對焦及成像表現還必須長期保持穩定，才能符合晶圓廠連續生產的要求。

即使微影精度及每小時產能符合規格，設備若頻繁停機，仍無法支撐高量產。因此，相較單純提高曝光速度，機隊可用率成為High NA EUV現階段更直接的量產考驗。

Storms表示，截至2026年7月，全球High NA EUV機隊可用率已提升至84%，ASML預期2026年第四季達到90%，仍有約6個百分點的改善空間。後續工作將聚焦降低計畫性停機時間、處理超長時間停機事件，並將既有NXE平台累積的診斷與維護經驗導入EXE系列，避免相同問題重複發生。

「我們相信，到今年底能讓設備可用率進入穩定水準，滿足客戶轉入高量產時的需求。」Storms說。

ASML簡報另將93%列為機隊可用率的中長期改善方向，與2026年第四季90%的階段性目標有所區別。對晶圓廠而言，High NA EUV設備價格及折舊成本高昂，可用率若未達量產水準，即使解析度與曝光速度符合規格，單片晶圓成本仍難以下降。

針對High NA EUV如何擴大導入，Storms提出三階段路徑。第一階段是把部分既有0.33 NA EUV製程層移轉至0.55 NA，以分擔目前市場對EUV產能的需求，同時讓客戶在既有製程中累積High NA量產經驗。

第二階段則是在下一代節點中，把原本需要0.33 NA多重曝光的製程層，轉由0.55 NA進行單次曝光。製程步驟減少後，可望改善成本、缺陷率、良率及生產週期。

第三階段是針對0.55 NA的成像能力重新設計晶片結構，不再只是把既有製程轉移至新設備，而是透過High NA的2D成像能力，提高晶片密度、簡化互連結構並改善元件效能。

ASML也提出EXE平台的生產力升級路線圖。EXE:5200B的AB模式產能為每小時135片，後續EXE:5200C預計提高至160片、EXE:5200D提高至175片，EXE:5400E則在本十年末達到180片；AA模式屆時可達每小時210片以上。

產能提升將來自多項改善，包括把EUV光源功率由EXE:5200B的600瓦提高至EXE:5400E的1,000瓦，加快晶圓及光罩搬運速度、縮短量測時間，並降低設備運作中的非必要耗損。

更長期來看，ASML還規劃High Productivity版本的EXE:5600，生產力目標為每小時250片以上，但目前尚未公布明確量產時程。 （相關報導： 技術解密》High NA EUV對焦與拼接難題有解！兩層金屬加一層導通孔變一次曝光，ASML攜手imec開創新局 ｜ 更多文章 ）

英特爾18A率先導入，代表High NA EUV跨過第一道量產門檻；然而，這項技術要從部分產品及有限製程層，擴大至更多客戶與下一代邏輯、記憶體節點，仍取決於設備可用率、生產力、良率及整體製程成本能否同步達標。