美光加碼AI研發與新創！100億美元攻長期技術、2.5億美元基金找下一代應用

AI記憶體需求快速升高，美光科技（Micron Technology，NASDAQ：MU）除擴充產品與產能，也把投資時間軸拉長至十年以上。美光總裁暨技術與產品長Scott J. DeBoer 2日在SEMICON Taiwan 2026大師論壇表示，公司將以未來十年100億美元設立Micron Research Labs，投入超越現有產品路線圖的長期研究；另透過2.5億美元Paradigm Fund投資AI新創，提早掌握模型架構、運算基礎設施、企業應用與Physical AI對記憶體的下一波需求。

依2日新台幣兌美元銀行間收盤匯率31.728元換算，兩項規模分別約新台幣3,173億元與79.3億元。DeBoer說，美光過去的研發多沿著產品世代推進，新研究機構則將視野放到十年以後，並與大學、國家實驗室、新創及產業夥伴合作，研究記憶體、運算架構、先進封裝與未來半導體製造。

這兩項計畫扮演不同角色。Micron Research Labs聚焦上游基礎研究，100億美元為未來十年的規劃投資，目標不是立即推出單一產品，而是建立跨學界、政府與產業的研究網路；2.5億美元Paradigm Fund則是美光創投部門歷來規模最大的基金，投資範圍涵蓋模型架構、記憶體內運算、次世代網路、資料中心效率、企業AI及機器人等Physical AI應用。

DeBoer在演講中表示，美光希望同時擴大近期與長期研發及新創合作，藉由提早參與系統與應用端創新，了解未來AI工作負載會如何改變記憶體和儲存需求。換言之，創投不只尋找財務回報，也讓記憶體供應商更早看到下一代模型、資料中心與邊緣裝置的架構變化。

長期研發的另一條主線是先進封裝。DeBoer指出，HBM是由多層DRAM與邏輯晶片組成的複雜3D產品，除了核心DRAM製程，產業還必須擴大Die-to-Wafer、堆疊晶圓與混合鍵合能力。然而，現階段混合鍵合在高量產製造的成熟度，仍明顯落後未來AI產品需求，鍵合可靠度、製程控制、量測及良率都須進一步改善。

他表示，未來HBM5、垂直HBM與3D DRAM會持續提高頻寬和位元密度，也會把熱傳、互連距離與封裝良率推向新的限制。記憶體若要更靠近運算晶片，甚至直接堆疊於邏輯裸晶上方，設備、材料與封裝夥伴必須共同處理微縮互連和散熱問題。

DeBoer說，美光的AI策略已從核心DRAM與NAND製程，向上延伸至HBM、先進封裝及系統架構，再透過研究機構與創投基金接觸更長期技術和新應用。當AI效能愈來愈受記憶體限制，記憶體廠的競爭也不再只看單一產品世代，而是能否提早十年布局材料、封裝、製造與系統共同設計。