美國政府近日全面限制電子設計自動化（EDA）軟體輸出至中國，意在遏止中國發展先進半導體技術，引發業界關注。對此，科技力智庫執行長烏凌翔在節目《烏鴉笑笑》分析，美國此次的禁令來得又快又急，且沒點名特定公司，推測可能與中國在極紫外光（EUV）光刻機技術方面取得突破的傳言有密切關聯。
烏凌翔解釋，所謂的EDA（Electronic Design Automation）是一套用於晶片設計的軟體工具，晶片工程師必須使用EDA軟體來設計晶片藍圖，才能交付晶圓廠進行「流片」（tape out）製造，而目前全球三大EDA巨頭Synopsys（新思科技）、Cadence（益華電腦）、Cadence和西門子EDA（原Mentor Graphics）所壟斷在全球市佔高達7至8成，在中國境內市佔率甚至一度高達95%以上，但因競爭不過外國產品，而未能持續發展。但隨著美中貿易戰升溫，中國本土EDA公司如華大九天、廣立微等就開始發展自研EDA工具，目前約有100多家，但市佔率僅約15%左右，換句話說，中國晶片設計業仍嚴重依賴美國三大EDA廠。
烏凌翔分析，美國政府對EDA三大廠的禁令顯得「有些急」，且此次禁令沒有點名任何單一公司，也沒有針對特定製程，與2022年8月的GAAFET禁令不同。由於華為自研EDA已達14奈米水準，且海思至少擁有舊版5奈米EDA，因此推測這道急迫的禁令一定針對的是高階EDA軟體，至少是10奈米以下，甚至5奈米以下的製程。
烏凌翔大膽假設，這道禁令與中國可能在EUV光刻機發展上有所突破的傳言息息相關。其邏輯背後原因在於，EDA軟體的「後端」功能與晶圓廠的製程密切相關，需要晶圓廠提供製程設計套件（PDK）和設計規則（Design Rules）來配合，如果中國的EUV發展有所突破，美國此次的禁令就是為了避免已存在或即將存在的EUV光刻機與高階EDA軟體的配合，進而將中國本土晶片設計商的設計能力提升到5奈米甚至3奈米。
烏凌翔續指，近2年中國許多團隊發表了搭配EUV的專利技術，也間接支持了EUV可能有所進展的推測，儘管中國自研自製EUV面臨巨大挑戰，但仍存在一種可能性，即中國可能已透過某種管道獲取了1座不夠完整的EUV機器，並自行開發配套技術來完善它。按照ASML的製程技術圖，量產7奈米晶片最好使用EUV，而量產5奈米晶片更必須使用EUV。
烏凌翔認為，接下來可以觀察美國商務部是否會針對荷蘭ASML採取更多查核或限制動作，除此，如果中國出現本土自製的3奈米晶片，卻不知道是哪家代工廠製造的，將會是更強烈的直接驗證證據。
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