AI需求持續吸收記憶體產能，DRAM供給吃緊情況短期內恐難緩解。力積電（6770）今（14）日舉行線上法人說明會，總經理朱憲國表示，大型雲端服務供應商已提前向主要DRAM製造商預購未來數年的產能，公司預估DRAM供需缺口將延續至2027年。因應需求升溫，力積電7月再將DRAM投片價格結構性調高45%，考量晶圓生產週期，新價格預計自11月起陸續反映，進一步拉升營收與獲利。
朱憲國指出，AI應用需求仍然強勁，雲端服務業者提前鎖定產能，使主要記憶體廠未來數年的產能配置日益緊張。從美光科技（NASDAQ：MU）近期營運表現來看，也在一定程度上緩和市場對AI需求泡沫化的疑慮。
「DRAM缺口其實還是可以持續，我們預計會到2027年。」朱憲國說，隨著市場價格持續上漲，記憶體已占力積電第二季營收超過五成，未來占比還會繼續提高。
DRAM占營收46%，記憶體比重突破五成
根據力積電法說簡報，第二季DRAM營收占比由第一季38%提高至46%，Flash維持6%，兩項記憶體產品合計占營收52%，正式超越邏輯代工產品，成為力積電目前最大的營收來源。
從製程組合也可看出記憶體報價上漲的影響。第二季24、25及28奈米製程營收占比由第一季28%提高至37%，30奈米則占15%，兩者合計達52%。客戶組合方面，Fabless客戶占比也由第一季83%上升至90%，主要與DRAM客戶多為記憶體設計公司及通路業者有關。
力積電發言人譚仲民說明，第二季不只是DRAM，包括邏輯產品的出貨量及平均銷售價格均呈現成長，只是DRAM價格漲幅遠高於其他產品，因而推高記憶體在營收組合中的比重。
這波漲價也已逐步反映在財務表現。力積電第二季營收172.91億元，季增27%；毛利率由第一季10%提高至28%。朱憲國表示，營收成長主要來自平均售價提高，出貨量增加的貢獻相對有限，顯示記憶體及晶圓代工價格回升，已成為本業改善的主要推力。
7月投片價再漲45%，11月起反映營收獲利
面對需求持續升溫，力積電7月進一步調高DRAM投片價格。朱憲國表示，相較於6月出貨價格，本次結構性調價幅度達45%，是公司近期相當明顯的一次價格調整。
不過，晶圓從投片、生產到出貨需要一定週期，因此7月漲價效益不會立即全部反映在當月營收。朱憲國預估，採用新價格投片的產品將自11月開始產出，屆時營收與獲利可望出現更明顯的拉升。
他在問答環節進一步指出，力積電第二季毛利率為28%，預期第三季及第四季仍將逐步提高，尤其11月及12月，可望看到營收及毛利呈現「階梯式」向上。
值得注意的是，45%是力積電針對DRAM投片價格所進行的結構性調整，並不等同所有DRAM產品的終端市場報價均上漲相同幅度；實際營收貢獻仍取決於客戶產品組合、投片量、生產良率及出貨時程。
自研1X已小量生產，良率進入爬坡階段
除了受惠於市場價格上漲，力積電也正推進DRAM製程升級，試圖提高單片晶圓價值，降低長期停留在低階、舊世代製程的風險。
朱憲國表示，力積電自行開發的1X DRAM製程，已自今年6月開始進入小量生產，目前正進行良率改善及產量爬升。公司規畫於2027年進一步放大量產，成為未來DRAM產品升級的第一個重要節點。
董事長黃崇仁表示，力積電的DRAM布局橫跨低容量利基型產品至較高階產品。即使部分大型記憶體業者逐步退出舊規格、低容量市場，消費電子、工控及其他特定應用仍有持續需求，因此公司不會完全放棄既有產品，而是透過新製程逐步改善成本與產品價值。
黃崇仁指出，公司自行開發的DDR4 8Gb 1X產品將逐步進入生產，後續再透過與美光的技術合作，向1P製程推進，讓力積電的DRAM產品線由利基型產品延伸至更高價值的製程。
美光1P設備明年首季到位，2028年中量產
力積電與美光的合作，除HBM後段晶圓製造PWF外，也涵蓋DRAM 1P製程技術。朱憲國表示，1P製程所需的新設備預計在2027年第一季底以前陸續到位，之後將進入製程開發、調整及驗證階段，目標於2028年中正式量產。
「我們在2027年第一季之前，會把新的機台建置完畢，開始做製程開發，大概到2028年年中可以進到量產。」朱憲國表示，目前相關計畫仍依既定進度執行，若後續有新的進展，將再對外說明。
力積電預計，自2027年的1X製程至2028年的美光1P製程，每年均將有新的DRAM技術陸續導入，以提升製程競爭力及客戶服務能力。不過，1P距離正式量產仍有近兩年時間，設備建置、技術轉移、良率改善及客戶驗證，仍是後續能否如期放量的觀察重點。
AI由雲端走向地端，SLC NAND價格同步回升
記憶體缺貨效應也不只發生在DRAM。朱憲國指出，新一代AI伺服器帶動主流3D NAND需求快速成長，主要記憶體製造商逐步將舊有2D NAND產能移轉至3D NAND，使傳統SLC NAND供應受到壓縮。
儘管主流消費性儲存產品持續轉向3D NAND，但網通、工業控制及物聯網裝置，仍需要低容量、高耐用度的SLC NAND。尤其今年以來，AI應用由雲端逐漸延伸至地端及邊緣裝置，相關設備對低容量記憶體的需求具有一定剛性，推動SLC NAND市場價格自第二季起逐步上揚。
力積電目前也正與客戶將SLC NAND代工製程轉向更具競爭力的20奈米節點，藉此提高晶圓產出及成本競爭力；新開發的MLC NAND產品則處於客戶合作及驗證階段，預計於2026年底至2027年初推出。
NOR Flash投片突破千片，AI伺服器、5G推升容量
NOR Flash方面，力積電觀察，AI伺服器及5G基地台對韌體儲存、開機程式及系統控制功能的要求提高，帶動單機NOR Flash容量增加。
朱憲國表示，加上地緣政治因素帶動客戶尋求非中國供應鏈，力積電在非中系NOR Flash晶圓代工市場具有特殊位置。目前公司NOR Flash投片量已突破千片規模，並開始逐步放大。
黃崇仁也指出，力積電既有NOR Flash與SLC NAND產品均持續出貨，隨著市場價格回升及新產品推出，記憶體事業未來將不只依靠DRAM單一產品，而是由DRAM、SLC NAND、MLC NAND及NOR Flash共同支撐。
從7月DRAM投片價格調高45%，到1X與1P製程逐步接棒，力積電正同時押注記憶體價格循環及製程升級。短期來看，11月後漲價效益能否如期反映，將決定下半年毛利率改善幅度；中長期則要觀察1X良率爬升，以及與美光合作的1P製程能否在2028年中按計畫進入量產。
