中國工業和信息化部（簡稱工信部）近日在官網發布了「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」通知，曝光多項重點發展的技術裝備，涵蓋一項國產「氟化氬光刻機」（DUV曝光機），其核心技術指標包括晶圓直徑300mm、照明波長248nm、解析度≦65nm、套刻≦8nm，還傳出已可自主生產「8奈米及以下的晶片」。不料，如今就連中國自家媒體也打臉，此款DUV曝光機其實只能生產65奈米或以下晶片！
「氟化氬光刻機」是什麼？
根據中國科技媒體《芯智訊》報導，「氟化氬光刻機」其實是「193nm光源的ArF曝光機」，也被稱為「DUV微影機或DUV曝光機」，而非更先進的「浸沒式DUV曝光機」（又稱ArFi曝光機）。從工信部揭露的參數來看，該「DUV曝光機」的解析度為≤65nm，套刻精度為≤8nm。
不過，報導分析，此參數雖比之前解析度為≤90nm的「SSA600光刻機」有進步，但仍未達到可以生產28nm晶片的程度，更遑論8nm、7nm晶片，「很多網友直接把套刻精度跟曝光製造製程節點水平給搞混了。甚至還有人一看到『套刻≤ 8nm』就認為這是8nm曝光機，也是令人啼笑皆非。」
報導指出，「曝光精度」主要看的是「解析度」，65nm的解析度，則代表單次曝光能達到的製程節點大概就在65nm左右。至於「套刻精度」指的是「每層之間的對準精度」，也就是晶片「一層圖案曝光完成後，再在上面繼續下一層曝光」製造過程的對準精度，並不是指能夠製造的芯片的製程節點。
ASML技術領先18年
報導也將該「DUV曝光機」與荷蘭晶片巨擘ASML（Advanced Semiconductor Materials Lithography，艾思摩爾）的產品作比較。ASML早在2015年就推出了「TWINSCAN XT：1460K曝光機」其解析度為≤65nm，但套刻精度比中國曝光機更仔細，為≤5nm，這也意味著中國「DUV曝光機」性能甚至比ASML在9年前推出的「XT：1460K曝光機」還低。
不僅如此，若再往前看，ASML其實在2006年就推出了「乾式DUV曝光機XT：1450」，這款曝光機的解析度已達≤57nm，套刻精度為≤7nm，性能依舊比中國如今「DUV曝光機」還強，也代表中國的曝光機與ASML的技術實際差距超過18年。 （相關報導： 突破美國、ASML封鎖？中國實現國產DUV曝光機 可生產8奈米及以下晶片 ｜ 更多文章 ）
報導指出，中國這次曝光的解析度≤65nm「DUV曝光機」，應只是先前解析度≤90nm曝光機的改良版，「還是只能用於55nm至65nm的成熟製程晶片製造需求」。雖然相較比起之前常見的曝光機有進步，但該陸媒也直言：「我們仍然需要清醒的認識到我們與國外先進水平之間的差距，不可盲目樂觀。」
