才說不甩美國制裁、可製8nm晶片?陸媒挖細節「打臉中國DUV曝光機」:連28nm都做不出

2024-09-17 13:12

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中國晶片技術仍比ASML落後。(示意圖/取自免費圖庫pixabay)

中國晶片技術仍比ASML落後。(示意圖/取自免費圖庫pixabay)

中國工業和信息化部(簡稱工信部)近日在官網發布了「首台(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024年版)」通知,曝光多項重點發展的技術裝備,涵蓋一項國產「氟化氬光刻機」(DUV曝光機),其核心技術指標包括晶圓直徑300mm、照明波長248nm、解析度≦65nm、套刻≦8nm,還傳出已可自主生產「8奈米及以下的晶片」。不料,如今就連中國自家媒體也打臉,此款DUV曝光機其實只能生產65奈米或以下晶片

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ASML深紫外光(DUV)微影設備。(照片來源:ASML)
ASML深紫外光(DUV)微影設備。(圖/ASML)

「氟化氬光刻機」是什麼?

根據中國科技媒體《芯智訊》報導,「氟化氬光刻機」其實是「193nm光源的ArF曝光機」,也被稱為「DUV微影機或DUV曝光機」,而非更先進的「浸沒式DUV曝光機」(又稱ArFi曝光機)。從工信部揭露的參數來看,該「DUV曝光機」的解析度為≤65nm,套刻精度為≤8nm。

不過,報導分析,此參數雖比之前解析度為≤90nm的「SSA600光刻機」有進步,但仍未達到可以生產28nm晶片的程度,更遑論8nm、7nm晶片,「很多網友直接把套刻精度跟曝光製造製程節點水平給搞混了。甚至還有人一看到『套刻≤ 8nm』就認為這是8nm曝光機,也是令人啼笑皆非。」

報導指出,「曝光精度」主要看的是「解析度」,65nm的解析度,則代表單次曝光能達到的製程節點大概就在65nm左右。至於「套刻精度」指的是「每層之間的對準精度」,也就是晶片「一層圖案曝光完成後,再在上面繼續下一層曝光」製造過程的對準精度,並不是指能夠製造的芯片的製程節點

中國國產光刻機技術細節曝光。(圖/翻攝自微博)
中國國產曝光機技術細節曝光。(圖/翻攝自微博)

ASML技術領先18年

報導也將該「DUV曝光機」與荷蘭晶片巨擘ASML(Advanced Semiconductor Materials Lithography,艾思摩爾)的產品作比較。ASML早在2015年就推出了「TWINSCAN XT:1460K曝光機」其解析度為≤65nm,但套刻精度比中國曝光機更仔細,為≤5nm,這也意味著中國「DUV曝光機」性能甚至比ASML在9年前推出的「XT:1460K曝光機」還低。

不僅如此,若再往前看,ASML其實在2006年就推出了「乾式DUV曝光機XT:1450」,這款曝光機的解析度已達≤57nm,套刻精度為≤7nm,性能依舊比中國如今「DUV曝光機」還強,也代表中國的曝光機與ASML的技術實際差距超過18年。

報導指出,中國這次曝光的解析度≤65nm「DUV曝光機」,應只是先前解析度≤90nm曝光機的改良版,「還是只能用於55nm至65nm的成熟製程晶片製造需求」。雖然相較比起之前常見的曝光機有進步,但該陸媒也直言:「我們仍然需要清醒的認識到我們與國外先進水平之間的差距,不可盲目樂觀。」

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