據研調機構Yole Intelligence 2023年發布的先進封裝產業報告，受到AI晶片、HBM與Chiplet異質整合需求帶動，晶片間微凸塊（Micro-bump）與混合鍵合（Hybrid Bonding）間距，正由40至80微米朝10微米以下、甚至次微米級推進。
然而，互連間距愈小，不僅清洗液更難滲入微細結構，蝕刻反應能否精準移除目標金屬，又不傷及周邊材料，也將影響接合品質、可靠度與產品良率。這也意味，先進封裝競爭已不只取決於設備精度，化學配方與材料界面控制的重要性也同步提高。
單劑蝕刻銅與錫銀合金，降低藥液切換需求
李長榮先進材料此次發表的多功能型蝕刻液，採用一劑型配方，可使用同一藥液完成銅與錫銀合金蝕刻，並透過配方控制提高蝕刻選擇性，在移除指定金屬的同時，降低鈦層及下方金屬墊受損的風險。
相較於須依金屬材料切換藥液的製程，新配方不需混合A、B劑、進行線上加料或配置第二座藥液槽，可減少設備切換、人員監控及藥液管理需求。配方也未使用容易隨時間降解的雙氧水，藉此降低成分失效導致整槽藥液報廢的風險，延長保存及使用穩定性。
公司指出，穩定的配方設計也可支援藥液重複使用，降低更換頻率、藥液消耗及廢液產生。依現有技術文件，在特定客戶、材料與製程測試條件下，導入多功能型蝕刻液後，產品測試良率達99%；不過，實際表現仍會因產品結構、材料組合及客戶製程而有所不同。
結合數據建模，加快客製化配方篩選
面對異質整合涉及的多種金屬、基材與封裝結構，李長榮先進材料也將人工智慧文獻搜尋、熱力學分析及實驗設計法（Design of Experiments，DOE）導入研發流程，用以篩選配方組成、優化使用比例，縮短傳統反覆試驗所需時間。
除可處理多種金屬的蝕刻液外，公司也針對單一金屬開發高選擇性蝕刻配方，依照不同產品結構及製程條件調整。此一研發模式反映先進封裝材料的另一項特性：隨著材料組合與結構日益複雜，化學品供應商不僅要提供標準產品，也須具備配合客戶製程進行客製化的能力。
李長榮先進材料董事長趙繁明表示：「當更多元件與功能必須在更小空間內完成整合，材料創新不能只著眼於單一性能，而須同步回應製程效率、材料相容性與整合彈性的需求。」
他指出，李長榮先進材料從客戶實際製程條件出發，分別從簡化金屬蝕刻流程及提高清洗潔淨度切入，再依材料組合、封裝結構及製程條件開發相應方案。
一道藥液去除兩層膠，簡化解鍵合清洗
除了金屬蝕刻，晶圓暫時鍵合及解鍵合後的殘膠，也是先進封裝製程的另一項清洗難題。李長榮先進材料推出的DB Remover，可使用一道清洗液，同時去除離型層（Release Layer）與黏著層（Adhesive Layer），取代分別使用兩道藥液的傳統流程。 （相關報導： SEMICON Taiwan 2026直擊》High NA EUV迎量產元年！ASML：全球曝光逾135萬片、英特爾18A領頭投產 ｜ 更多文章 ）
此一設計可減少藥液切換、額外設備及人力需求，並降低雷射解離後碳焦重新附著於晶圓表面，以及膠材殘留於膠帶的風險。配方也加入金屬腐蝕抑制設計，在提高去膠能力的同時，降低對周邊金屬結構的影響。
