全球科技產業正面臨一場波瀾壯闊的結構性轉變。高盛（Goldman Sachs）在最新發布的研究報告中指出，未來兩年的記憶體市場將陷入一場前所未見的供需緊張僵局。這不單是某項產品的失調，而是包括 DRAM、NAND 以及高效能記憶體 HBM 在內的三大主力產品線，將同步面臨嚴峻的缺貨壓力。分析師直言，隨著 AI 需求高度集中且產能擴張受限，記憶體產業長期以來的低價循環恐怕已經走到盡頭。
2026 年將是 15 年來最緊張的一年？伺服器用量正式過半
根據高盛上修的市場數據，DRAM 的供不應求幅度遠超預期。預估 2026 年與 2027 年，全球 DRAM 將分別出現 4.9% 與 2.5% 的供需缺口。報告特別強調，2026 年極有可能是近 15 年來市場供應最為緊繃的時刻。推動這股巨浪的核心動力，正是 AI 伺服器的建置潮導致記憶體用量激增。
具體數據顯示，2026 年伺服器 DRAM（不含 HBM）的需求成長率將高達 39%。如果將爆發式成長的 HBM 納入計算，伺服器相關用量占全球 DRAM 總需求的比重，將在未來兩年分別爬升至 53% 與 57%。這意味著伺服器需求將正式跨越過半門檻，取代行動裝置與個人電腦，成為主導全球記憶體市場的最重要來源。
然而，供應端的擴產速度卻像是在慢跑。高盛指出，SK 海力士的新產能目前大多被挪去生產 HBM，而三星的 P5 廠與 SK 海力士的龍仁新廠，最快也要等到 2027 年下半年才可能進入量產階段。在這些大型旗艦工廠上線前，全球 DRAM 的產能成長幅度極為有限。
陸廠產能救不了全球缺口？NAND 市場恐現史上最大斷層
許多人曾期待中國大陸的記憶體廠能在此時擴張產能，緩解全球的缺貨壓力。但高盛對此持保留態度，認為在美國相關貿易限制下，美系雲端服務大廠（CSP）考量合規與安全性，基本上不會採用長江存儲或長鑫存儲的產品。因此，即便大陸廠產能增加，對於全球主流市場的結構性缺口幫助仍相對有限。
值得關注的還有 NAND 快閃記憶體，缺貨警報同樣響起。高盛預估 2026 年 NAND 的供需缺口將達到 4.2%，可能成為產業史上最顯著的短缺時期。其中，「企業級 SSD」是最大變數，需求成長率在 2026 年預估將飆升至 58%。相比之下，傳統的智慧型手機與 PC 市場則顯得冷清，2026 年行動 NAND 需求甚至可能出現零成長，顯示市場資源正全面向 AI 基礎設施傾斜。
HBM 產能持續爆炸成長，誰才是這波漲價潮的最大贏家？
在高階記憶體 HBM 領域，市場規模正以驚人的速度擴張，預計 2027 年整體市場價值將達到 750 億美元。高盛觀察到一個新趨勢：除了傳統的 GPU 之外，ASIC 晶片對 HBM 的需求也在快速增加，預期兩年後占比將提升至 36%。儘管各大廠紛紛加碼擴產，但 2026 年仍預期有 5.1% 的供需缺口，顯示「有錢買不到貨」的情況短期內難以緩解。
在投資布局上，高盛極度看好韓系兩大巨頭。分析師預估，三星電子的股東權益報酬率（ROE）有機會攀升至 30%；而布局領先的 SK 海力士更驚人，2026 年其 DRAM 營運利潤率預期將接近 80%，ROE 甚至有機會突破 70%。 （相關報導： 台股周一會開紅盤嗎？台積電 ADR 竟跑輸它們！阮慕驊：資金正從 AI 流向「這產業」，漲勢更猛 ｜ 更多文章 ）
不過，對於美系大廠美光（Micron），高盛則將其評級下調至中性。原因在於利多已大致反映在現階段股價，且未來隨著競爭者增加，HBM 的定價可能會面臨部分壓力。此外，高盛也點名了包括東京電子、Ulvac 與 Disco 在內的設備商，認為它們將在這一波被迫擴產的循環中，成為背後穩定獲利的關鍵角色。
