Intel High NA EUV累計處理逾100萬片晶圓！18A特定層效能不輸現行EUV，攜ASML推6×12吋光罩

繼台積電（2330）宣布攜手艾司摩爾（ASML，NASDAQ：ASML）推動12吋High NA EUV光罩後，英特爾（Intel，NASDAQ：INTC）今（8）日也公布最新進展。Intel Foundry目前已在大量製造環境中使用High NA EUV，並將其導入Intel 18A部分製程層、生產部分代號Panther Lake的Intel Core Ultra Series 3處理器；從早期設備認證、測試、研發到量產，累計處理晶圓數已超過100萬片。

Intel同時表示，短期將持續利用現行6吋光罩推動High NA EUV量產，客戶可依晶片設計選擇是否採用光罩拼接；長期則將與ASML及產業供應鏈共同推動6×12吋光罩，為High NA EUV未來擴大應用建立標準與基礎設施。

Intel指出，目前High NA EUV持續用於Intel Foundry的大量製造，累計處理超過100萬片晶圓。不過，這項數字不全是量產晶圓，而是涵蓋早期設備認證與測試、研究開發，以及Intel 18A特定層和部分Panther Lake產品的量產。

就設備運作情況來看，Intel表示，目前High NA EUV的套刻精度、產出效率及設備可用率均符合預期。採用High NA EUV製作特定層的Intel 18A產品，其表現也達到或超越利用現行NXE平台曝光可比較製程層的產品。

NXE平台所採用的EUV數值孔徑為0.33，而High NA EUV則將數值孔徑提高至0.55，可支援更精細的圖形曝光。不過，Intel公布的比較結果僅限Intel 18A特定且可比較的製程層，不代表High NA EUV已全面取代NXE平台，或所有Intel 18A與Panther Lake產品均已採用High NA。

Intel是High NA EUV最早一批導入者。Intel與ASML於2024年在美國俄勒岡州希爾斯伯勒研發基地完成業界首套商用High NA EUV系統整合，後續也率先安裝並通過第二代TWINSCAN EXE：5200B驗收，目前已出貨部分使用High NA EUV製造的邏輯產品。

儘管Intel加入大尺寸光罩倡議，但公司強調，客戶不必等待6×12吋光罩成熟，現在就能使用產業既有的6吋光罩，取得High NA EUV帶來的製程效益。

第一種方式，是在晶片設計階段便將版圖安排於6吋光罩支援的曝光範圍內；若晶片尺寸或設計超出單次曝光範圍，則可利用Intel Foundry的光罩拼接能力及製程設計套件（PDK），把不同曝光區域拼接成完整圖形。

這也意味Intel現階段採取雙線策略，一方面讓High NA EUV搭配既有6吋光罩投入生產，另一方面推動更大尺寸光罩，以降低未來High NA擴大量產時對拼接技術的依賴。 （相關報導： 因應AI晶片複雜化！台積電、ASML攜手推High NA EUV光罩從6吋放大至12吋，2031年建試產線、2033年微影系統就緒 ｜ 更多文章 ）

Intel執行副總裁暨Intel Foundry共同總經理Naga Chandrasekaran表示：「打造未來日益複雜AI產品的企業，需要已具備量產條件且容易使用的製造創新。」

他指出，在微影能力方面，Intel Foundry短期聚焦於讓High NA搭配6吋光罩使用，無論是否採用拼接技術，同時也為轉向6×12吋光罩進行準備，未來將繼續與ASML及整體產業合作完成轉換。

Intel表示，公司倡議大尺寸光罩已超過3年，期間持續與ASML、光罩製造商、自動化設備供應商、電子設計自動化（EDA）業者、材料供應商及其他半導體製造商合作，推動大尺寸光罩所需的標準、基礎設施與技術。

相較台積電與Samsung將下一代規格稱為12吋光罩，Intel此次強調採用「6×12吋光罩」。三家公司參與的方向同樣是擴大High NA EUV光罩格式，但Intel現階段更強調，產業在轉向大尺寸光罩前，仍能透過6吋光罩版圖規劃及拼接技術創造量產效益。

ASML總裁暨執行長Christophe Fouquet表示，Intel Foundry從2024年安裝首套商用EXE系統，到認證最新一代設備及出貨首款採High NA製造的大量生產邏輯產品，一直是產業採用High NA的重要推動者。

Fouquet並指出，ASML肯定Intel利用6吋光罩創造現階段效益的技術創新，以及長期支持6×12吋光罩演進的角色。

Intel與ASML也將於SPIE光罩技術與極紫外光微影研討會，分別說明支援半場拼接的掃描機與光罩需求，以及High NA EUV拼接技術的量產應用。這顯示在大尺寸光罩全面就緒前，6吋光罩搭配拼接技術仍將是Intel擴大High NA量產的重要過渡方案。

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