SK海力士美國HBM新廠動工！符合川普「美國製造」夢想，聯手普渡大學確保人才供應

在人工智慧（AI）熱潮躍升為最大贏家之一的韓國記憶體巨擘SK海力士（SK Hynix），除了持續強化自家廠區建設，同時也擴大在美佈局。執行長郭魯正（Kwak Noh-Jung）日前宣告，他們位於美國印第安納州的新廠，將在2030年前、讓該州成為美國最核心的高頻寬記憶體（HBM）生產基地，成為符合川普政府「美國製造」理念的一環。

SK海力士在印第安納州西拉法葉市（West Lafayette），為旗下在美國首座設施舉行隆重的動土典禮，執行長致詞時強調，面對全球AI熱潮引發供不應求，市場對高頻寬記憶體需求已刻不容緩，「我們將為客戶提供全新『美國製造』的HBM供應來源，同時鞏固美國半導體供應鏈安全和發展。」

CNBC報導指出，身為全球HBM市佔龍頭，SK海力士正在進行總額7200億美元（約新台幣 23.04 兆元）大舉擴產，其中絕大部分產能集中在韓國本土持續興建中的最大記憶體晶片園區，預計工程順利的話，明年（2027）2月即可投產。

至於這座耗資40億美元（約新台幣1280億元）的印第安納州新廠，主要專攻「先進封裝」、不是前段晶圓製造，換句話說就是將在韓國與中國完成製造的記憶體晶片，運往美國當地後再進行堆疊與連結。

海力士指出，用於進行封裝的第一座無塵室，最快將在2028年10月正式啟用。如果包含先前成立的AI公司與收購英特爾NAND業務等項目在內，截至2030年，該企業在美的總投資與資產規模，將突破450億美元（約新台幣1.44兆元）。

雖然先進封裝，是晶片製造極其關鍵的後段工序，但對於現任美國商務部長盧特尼克（Howard Lutnick）來說，似乎還是不滿意，他本人在7月份曾公開喊話，呼籲SK海力士與主要對手三星電子（Samsung Electronics），應該直接在美國本土打造興建前段「晶圓製造廠」。

面對這個質疑，海力士執行長回應外媒表示，公司會積極尋求合適契機，並對任何地點或國家抱持開放態度，承諾將持續擴大在美投資與合作機會。

印第安納州現任共和黨籍州長布勞恩（Mike Braun）大力讚揚這個計畫，是印州史上最大的開發案，同時也是全美重大里程碑。參議員托德（Todd Young）則指出，「長久以來美國本土僅設計先進晶片，卻放任製造生態系流失海外，今日的動土正是實現供應鏈回流的最好證據。」

透過印第安納州官方數據還能發現，這個廠區計畫，SK海力士將獲得高達4.58億美元（約新台幣146.5億元）的《晶片法案》聯邦補助，以及該州史上第二大、價值高達7.12億美元（約新台幣227.8億元）的地方獎勵。占地133英畝的生產園區內，除了有先進封裝廠，還將設立研發中心，提供頂尖AI客戶進行客製化次世代記憶體的共同開發業務。

值得注意的是，AI晶片龍頭輝達（Nvidia）已承諾與SK海力士共同開發記憶體，作為與該集團7月簽署的5000億美元（約新台幣16兆元）合作案一部分。

至於在未來人力配置和工作機會層面，印州新廠預計將創造約1000個直接工作機會，外加6000多個衍生相關就業機會。SK海力士初期將從韓國本土調派人力支援，後續當一切穩定後，將大量聘用鄰近的普渡大學（Purdue University）畢業的半導體人才，打造產學一體化的AI記憶體生態系。 （相關報導： 大批南韓散戶湧入美股！搶買海力士ADR與三倍槓桿ETF，華爾街分析師：真是瘋了 ｜ 更多文章 ）