中國驚傳造出第一台EUV曝光機！科技媒體直言：美國憂心成真

美國對中祭出晶片禁令，限制高階晶片與曝光機等半導體製造設備，不過《路透》最新報導透露，中國已成功打造出首台極紫外光（EUV）曝光機原型機。對此，科技媒體《Wccftech》直言，這標誌著中國在半導體領域，取得了美國一直以來所憂心的突破，儘管中國仍仰賴舊世代的零件，但表現仍被形容為「令人震驚」。​

​​《路透》報導指出，此原型機於2025年初完成，目前正進行測試，是由一支曾任職於曝光機龍頭大廠艾司摩爾（ASML）的工程師團隊打造。兩名知情人士指出，該團隊透過逆向工程方式，重現ASML的EUV技術。

知情人士說，該原型機在技術成熟度上仍明顯落後ASML，不過已能正常運作並成功產生極紫外光，但尚未製造出可工作的晶片。目前中國的主要落後點，在於無法取得受出口管制的關鍵高階光學零件，但其透過拆解舊型ASML設備、二手市場、利用中介掩蓋買家等方式入手，原型機也有來自日本尼康與佳能的被禁零件。

​《Wccftech》對此表示，北京當局多年來持續推動自產EUV，例如中芯等企業透過逆向工程與挖角，試圖複製ASML的關鍵技術，而這些投入似乎已開始有了初步成果。儘管中國仍仰賴ASML舊世代設備中的零組件，但在相對短的時間內取得這樣的進展，仍被外界形容為「令人震驚」。

報導提到，ASML執行長今年4月曾表示，中國要自行開發EUV仍需「很多很多年」，然而，路透社此次首度揭露該原型機的存在，顯示中國距離實現半導體自主的時間，可能比分析人士原先預期的更近。

報導分析，在AI熱潮推動下，中國對半導體自主的需求迫切上升，中芯為了與國際主流5奈米競爭而推出的的「N+3」製程，正是中國在技術受限情況下，發展出來的權宜策略。中國EUV的實際運作仍有待詳細觀察，不過整體而言，這對中國仍是一項具重大意義的發展。

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