中國管制鎵、鍺出口，將影響全球太陽能發展！澳洲、烏克蘭可能會投入開採

中國8月起實施鎵和鍺相關物項出口管制，整體觀察，中國鎵產量占全球達90%、鍺礦供應量的全球比重逾70%，對邏輯晶片晶圓製造影響有限，對光纖、射頻、感測、太陽能等應用或有干擾，後續可觀察烏克蘭以及澳洲等國是否重啟開採鎵金屬。

中國商務部及海關總署於3日發布「關於對鎵、鍺相關物項實施出口管制的公告」，指出為維護國家安全和利益，經國務院批准，決定對鎵、鍺相關物項，於8月1日起正式實施出口管制。

中國鎵礦藏量全球最大，比重80%以上

美系外資法人報告分析，鎵（gallium）和鍺（germanium）是半導體產業的重要戰略物資，廣泛應用在紅外線光學、光纖通訊傳輸、感測元件、太陽能電池等領域。

其中在鎵化合物，亞系外資法人分析，砷化鎵是重要且生產量最大的第二代化合物半導體材料，主要應用在LED、垂直共振腔面射型雷射（VCSEL）、射頻元件、太陽能元件，其中LED和射頻元件使用最多；另外氮化鎵（GaN）是第三代半導體重要材料之一。

在鍺金屬應用，亞系法人指出，通常加工成為光纖級四氯化鍺、紅外鍺單晶、太陽能用鍺基板等產品，應用在光纖通訊、紅外線光學、太陽能、塑料PET催化劑等高階技術和國防安全領域。

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從礦藏量和產量來看，美系法人引述金屬業遊說團體Eurometaux的資料顯示，中國擁有全球最大的鎵礦蘊藏量，占全球比重超過80%。

亞系外資法人統計，去年中國原生鎵產量約606公噸，消費量約500公噸，原生鎵產量占全球產量達90%；另外中國每年提供全球超過70%的鍺礦供應量，2021年全球鍺金屬產量178公噸，其中中國鍺金屬產量達125公噸，全球占比70.22%。

管制鎵、鍺影響製程大於200奈米的半導體

觀察中國管制鎵和鍺相關物項出口對半導體產業影響，美系法人分析，對邏輯晶片晶圓製造廠影響有限，中國仍是全球主要消費電子市場之一，且中國超過80%的半導體元件仍需要從國外進口。

儘管如此，美系法人認為，由於鎵和鍺對於200奈米及以上製程的半導體產品製造來說相當重要，對於半導體晶圓基板、射頻元件、功率放大器（PA）等供應鏈來說，仍有供應干擾或是斷鏈的風險。

另一美系外資法人指出，中國貢獻全球超過80%的鎵礦出口量，中國管制措施可能影響從基板到有機鎵化合物氣體的砷化鎵磊晶供應鏈。

本土證券法人分析，砷化鎵等化合物半導體基板，多需要使用到鎵金屬，中國是全球最大鎵和鍺出口國，主要銷售原料給國外化合物半導體基板廠。

不過本土法人指出，除了中國以外，烏克蘭以及澳洲也有能力開採並生產鎵金屬，以往因價格及獲利因素，開採意願低，中國管制鎵出口，可能推動烏克蘭或澳洲等其他國家重啟開採。

觀察砷化鎵基板價格，本土法人分析，由於砷化鎵基板大部分採取1至2年長約議價，短期內砷化鎵基板價格波動不大。 （相關報導： 管制鎵鍺的下一步是稀土？稀土有多重要，為何難以撼動中國的主導地位 ｜ 更多文章 ）

責任編輯／郭家宏