當全球將目光集中在AI與電動車驅動的SiC與GaN等「第三代半導體」時，另一場材料革命早已在軍工、太空、5G與通訊領域悄悄展開；那就是以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、鍺矽（SiGe）等為主的化合物半導體新戰場。
這些非矽基材料的共同特色是高頻率、高遷移率、高抗輻射能力，使其在低軌衛星、毫米波雷達、光通訊、國防雷達、航太電子等高階應用中，扮演無可替代的角色。
隨著地緣政治升溫、軍用通訊與衛星布建加速、以及5G/6G技術擴張，化合物半導體逐漸從「小眾」走向「戰略核心」，成為一場全球供應鏈再編與技術國安佈局的核心戰場。
化合物半導體是什麼？與傳統矽材料有何不同？
所謂化合物半導體（Compound Semiconductors），指的是兩種或以上元素所組成的晶體材料，例如：
•GaAs（砷化鎵）：由鎵與砷組成•InP（磷化銦）：由銦與磷組成•SiGe（鍺矽）：由矽與鍺合成
相對於矽（Si）單一元素組成的晶體結構，化合物半導體在電子遷移率、能隙結構與光電性能方面展現出更優異的物理特性，特別適合用於：
•射頻（RF）與高頻率電路•紅外線與雷射發光模組•高速光電收發器與光纖通訊•抗輻射應用（太空、軍工）
這些特性使得化合物半導體成為戰略性高階元件的基礎材料，被視為「國防級科技」的根本支撐。
主流材料解析：GaAs、InP、SiGe 分別應用在哪些領域？
1. GaAs（砷化鎵）：5G手機與軍用雷達的核心材料
GaAs具備高電子遷移率與低雜訊性能，特別適合用來製造高功率射頻放大器（PA）、低雜訊放大器（LNA）與高速開關模組。目前廣泛應用於：
• 智慧手機PA模組（尤其iPhone系列）• Wi-Fi 6/6E基地台模組• 國防雷達與飛彈導引系統
全球GaAs供應鏈集中於思佳訊（Skyworks）、威訊聯合（Qorvo）、博通（Broadcom）等美系IDM廠，台灣則以穩懋（3105）與宏捷科（8086）為代表性晶圓代工業者。
2. InP（磷化銦）：光通訊與資料中心的高速橋梁
InP具備優異的頻寬與光電轉換效率，是製作高速光電收發器（Optical Transceivers）、雷射模組（Laser Diodes）與PIN光電二極體的關鍵材料。主要應用於：
•資料中心400G/800G高速傳輸模組•低軌衛星光通訊（Lasercom）•自駕車LiDAR雷射發射器
此領域目前由II-VI、Lumentum、博通等美系與歐系廠商領先，但台灣業者如聯亞光電、全新電子亦積極研發InP材料與封裝製程。
3. SiGe（鍺矽）：毫米波應用與太空級元件新星
SiGe為一種能結合矽平台與鍺高速性能的「兼容型」化合物材料，廣泛用於製作高速射頻模組與雷達應用。由於與CMOS製程相容，成為5G毫米波應用與航太電子整合的重要材料選項。
應用範圍：
•汽車毫米波雷達（77GHz）•智慧城市交通感測模組•太空衛星內部數位控制模組 （相關報導： 半導體投資入門1》尋找台灣下一家台積電 第三代半導體全解析 ｜ 更多文章 ）
台灣目前對SiGe仍處於研究與初期代工階段，全球主導權多由英特爾、格羅方德（GlobalFoundries）與高塔半導體（T0ower Semiconductor）掌握。
