三星加碼投資越南！砸465億建首座半導體封測廠，主攻DRAM和NAND記憶體

面對全球人工智慧（AI）熱潮所引發的記憶體需求爆增，導致市場呈現供需嚴重失衡，身為三大記憶體供應商之一的南韓三星電子（Samsung Electronics），傳出要砸重金、在越南北部打造一座半導體封測工廠，負責生產包含DRAM和NAND兩種記憶體，藉此提高產能，降低國內生產線的交付壓力。

路透27日報導指出，三星電子已確定在越南砸下高達39兆越南盾（約新台幣465.2億元）資本，在太原省（Thai Nguyen）打造一座半導體工廠，這座廠房也將成為三星在越南當地，第一座半導體封測（Testing）工廠。而且根據現場直擊探訪，其實廠區早已在整理地基並進行鋼筋組裝。

官方文件寫到，這座封測基地，選址位於首都河內以北約60公里處，太原省內一座科技工業園區之內。三星預期，如果工程順利，該廠將在2027年11月，就能啟用並開始投產營運。

但針對路透曝光這個消息，當事雙方的三星電子與太原省人民委員會，都選擇保持沉默不回應。

由於微軟、亞馬遜等跨國科技企業，不斷擴大投資，大量擴建AI數據中心，導致三星、SK海力士與美光等記憶體供應商，為了應付AI衍生的巨量訂單，必須優先將既有製程產能，全數挪往生產利潤驚人、專供AI運算使用的「高頻寬記憶體」（HBM）。

雖然這個變化，讓三星和SK海力士賺飽飽，但隨著排擠效應發酵，卻讓有其他記憶體需求的智慧型手機、個人筆記型電腦、智慧家電與電動車企業相當為難，因為他們買不到足夠商品，進而嚴重影響自己生產線和出貨進度。

而三星這座越南工廠，就是針對這個缺口而來，純粹專注在記憶體的後段封裝與最終測試之上。三星電子在官方報告指出，太原廠一旦順利在2027年底全線啟動，每年實質總產能，能輸出高達1533億 Gb的動態存取記憶體（DRAM）晶片；同時還可出產2556億Gb的次世代NAND Flash快閃記憶體。

除了新設工廠、替當地創造就業機會，被媒體曝光的官方文件內，還隱藏一條追加再投資擴張條款」。三星電子明確向越南政府承諾，這座封測廠未來上路後，只要在財報上實質產生淨利潤，他們將把利潤直接用在當地，進行滾動式加碼，最高會將總投資預算提高至「25億美元」（約新台幣785.2億元）規模，甚至可能在附近擴建第二座一體化封測二廠。

雖然在行政程序，這座新工廠還沒有百分之百取得越南政府官方環境綜合許可，但三星早從4月開始，就派遣多達200名來自水原總部的半導體製程工程師與資深科學家，手持公務簽證入境，秘密常駐在這塊工地，進行繪圖和設備對接。

如果從地理位置看，三星這座封測廠、就在他們全球規模最大、年產數億台旗艦級 Galaxy智慧型手機與平板電腦的「太原組裝複合園區」隔壁。未來完成頭產後，可以直接進行「晶片出廠、就地封測、隔壁直接裝進手機、送上火車經哈薩克鐵路直通歐洲」的一體化物流，大幅縮減跨國航運運費，以及因地緣政治衝擊的附加保險成本。 （相關報導： 上有政策下有對策！外媒直擊越南知名山寨市場，吐槽官方打假「只是在作秀」 ｜ 更多文章 ）