中國記憶體技術死穴浮現？韓媒曝長鑫存儲「HBM超慘烈良率」：4顆壞3顆

AI導致全球爆發記憶體極端需求，供不應求導致價格瘋漲，而除了三星、SK海力士與美光等龍頭大廠，中國記憶體製造商長鑫存儲也意圖趁勢崛起。不過根據韓媒最新報導指出，長鑫存儲在高頻寬記憶體（HBM）遇到嚴重良率問題，僅僅只有25%，「4顆就有3顆是瑕疵品」，與韓廠仍有約4到5年的技術差距。

科技媒體《Wccftech》引述此報導並表示，HBM遠比傳統DRAM更為複雜，因此製造難度也大幅提高，而長鑫近年來能夠在全球記憶體市場崛起，主要原因在於三星、SK海力士、美光將產能集中在HBM，長鑫則透過持續供應傳統DRAM，填補市場需求。

韓媒《朝鮮日報》指出，長鑫存儲已開始試產第四代高頻寬記憶體HBM3，但初期良率始終無法提升，據了解，目前良率停留在約25%，僅達到半導體業界量產標準「黃金良率」（Golden Yield）80%的3分之1左右。

報導提到，相比之下，SK海力士自2022年開始量產同類產品，目前良率已超過90%，雙方差距相當明顯。業界普遍認為，造成差距的根本原因在於長鑫的TSV（Through Silicon Via，矽穿孔）技術成熟度不足，而TSV正是將多層DRAM堆疊成HBM的核心製程。

根據熟悉長鑫存儲情況的半導體設備業高層人士透露，截至9日，長鑫的8層堆疊（8-Hi）HBM3在前段製程的良率僅約30%；而通過前段製程的產品，還得完成後段封裝製程，又只有約70%能成為最終合格品。

報導指出，換句話說，如果開始生產100顆HBM3，最終將有接近80顆遭到淘汰。據悉，長鑫存儲正將少量成功製造出的HBM樣品供應給中國企業，例如阿里巴巴、寒武紀等公司，同時持續改善製程與良率。

報導提到，值得注意的是，長鑫存儲的問題並不在於DRAM本身的製程能力，半導體設備業人士表示，「長鑫採用於HBM的G4（約17奈米級）製程，其生產一般DRAM並沒有太大問題，但HBM規格要求更嚴格，因此就算使用相同製程，要達到合格標準也困難得多。」

報導表示，TSV是HBM的核心技術，同時難度極高，業界普遍認為，長鑫存儲與領先廠商最大的技術落差就在TSV。半導體業人士表示「TSV製程必須累積多年晶圓加工經驗，才能逐漸穩定，中國企業在DRAM製程方面，確實快速縮小了與國際大廠的差距，但後段製程所需的經驗，並非短時間內就能追上的。」

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