英特磊股東會》瞄準矽光子下一波商機！高永中揭QD Laser布局，德州新廠與自製MBE設備同步推進

當AI資料中心逐步邁向800G、1.6T甚至更高速的傳輸架構，矽光子（Silicon Photonics）被視為下一代高速互連的重要技術。其中，如何提供穩定且具成本優勢的光源，更是產業競逐焦點。

英特磊科技（IET-KY，4971）董事長高永中今（23）日在股東會後表示，公司近年積極投入砷化鎵（GaAs）量子點雷射（QD Laser）技術開發，希望切入矽光子光源市場。同時，美國德州新廠擴建與自製MBE設備業務也同步推進，成為公司未來成長的重要布局。

QD Laser瞄準下一代矽光子光源

高永中指出，目前光通訊產業主流光源仍以磷化銦DFB雷射為主，但材料成本相對較高。

相較之下，砷化鎵基板成本明顯較低，且量子點雷射具有較佳的溫度穩定性與功率控制能力，因此被視為下一代光源技術的重要方向。他表示，目前全球真正具備量產能力的廠商仍相當有限，因此相關技術仍處於持續開發階段。

為此，英特磊三年前便延攬相關領域資深研發人才投入開發，並建置專用MBE設備，希望未來能切入矽光子光源供應鏈。

除了技術開發外，公司也同步擴大產能布局。高永中表示，美國德州Allen新廠規劃面積約三萬平方呎，目前已完成設計，未來可容納12台大型MBE設備，並兼具設備組裝與生產功能。

他透露，德州晶片法案（TSIF）補助已開始請款；至於聯邦CHIPS Act補助案，目前程序已進入最後階段，公司預期最快第三季有機會獲得進一步進展。

高永中指出，新廠未來除支援磊晶產能外，也將成為公司設備業務的重要基地。

相較於一般磊晶廠，英特磊另一項特色是具備MBE設備自主設計與組裝能力。

高永中表示，公司自行開發的IET200氮化鎵MBE設備已成功銷售給台灣半導體研究中心（TSRI），並於今年5月完成進場安裝。目前設備已接近組裝完成階段，後續將進行測試與驗證。

他透露，除TSRI之外，公司也正與其他台灣客戶洽談設備合作機會，希望逐步擴大設備銷售業務。

高永中表示，未來英特磊不僅將持續深耕磊晶材料市場，也希望透過設備輸出、技術服務及新世代光源開發，打造更多元的成長動能。