華邦電估記憶體缺到2028年　產品價格同步看漲！總座喊：產能緊得不得了

AI基礎建設需求持續擴張，帶動全球記憶體產業出現結構性轉變。台灣利基型記憶體廠華邦電子（2344）今（5）日召開2026年第一季法人說明會，總經理陳沛銘感嘆，「現在產能真的是緊得不得了」。華邦電預期，傳統型記憶體結構性供給缺口將持續到2028年後，且第二季產品價格漲幅可能比上季還多，加上邊緣AI（Edge AI）及車用電子市場需求擴張，現已有客戶主動洽談長單，目前2026年、2027年產能能見度已相當明確。

市場密切追蹤動態隨機存取記憶體（DRAM）和快閃記憶體（Flash）合約價走勢，由於三星、海力士、美光等3大記憶體廠商相繼將產能轉向高頻寬記憶體（HBM），導致DDR4及傳統型記憶體出現結構性供給缺口，業界預期這波漲勢有機會延續至2027年。邊緣AI及車用電子市場需求擴張，也帶動華邦電積極布局相關產品。華邦電自主研發的CUBE（客製化超高頻寬元件）進展順利，預計2026年先有部分產出，2027年將有顯著貢獻。

產能進度部分，華邦電持續擴充快閃記憶體（NOR Flash、SLC NAND Flash）產能，並同步推進高雄廠DRAM產能布局。高雄廠方面，首批設備預計5至6月裝機，積極導入16奈米CMS製程，重點產品涵蓋8Gb、16Gb DDR4與8Gb LPDDR4；高雄廠也同步規劃生產CUBE產品，擴產效益預計2027年大量顯現。受惠於市場供需吃緊，客戶主動洽談長期採購協議（LTA），為後續營運提供支撐。

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