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20171031-SMG0035-快訊小紅條兒

聯電深夜聲明反擊美光 指將全力自我防衛

聯電今(9)日深夜聲明,大動作反擊社會誤解,及美光自有DRAM技術的既有印象。圖為福建晉華(圖片來源:New7)

聯電今(9)日深夜聲明,大動作反擊社會誤解,及美光自有DRAM技術的既有印象。圖為福建晉華(圖片來源:New7)

聯電今(9)日深夜十點在官網上刊發聲明,希望澄清社會上對公司自有DRAM技術的諸多誤解。

聯電指出,實際上自1996年公司啟動計畫開始,聯電便已累積15年的DRAM研發技術,整個團隊最多時達到150人,例如現任共同總經理之一的簡山傑,就是當年研發製程經理;且公司現有先進量產製程達14奈米,與美光發生爭端的32奈米技術,聯電強調,「在聯華電子的計畫啟動當時,已經是落後幾個世代的技術。」

對於美光掌握自有技術,聯電也提醒這又是一個誤解,美光現有技術,實際上乃是來自當年向台灣瑞晶、日本爾必達購買的25奈米技術。

聯電指出,公司與福建晉華合作,聯合開發DRAM製程,是與聯電晶圓代工本業完全分開的業務,而且早在2016年4月、根本還沒有發生中美貿易戰之時,也已經獲得主管機關許可。

盡管聯電、晉華合作團隊成員接近300人,但其中只有不到1成的人,曾經在美光公司工作。而且聯電DRAM的基礎元件設計,也和美光公司的架構完全不同,「簡而言之,聯華電子開發的記憶胞架構是3x2佈局的儲存單元,這與美光公司的2x3佈局的儲存單元是完全不同的。」

聯電最後強調,公司將不會「在報刊上」進行訴訟,暗指公司不會積極大打輿論戰,但會盡全力防衛任何子虛烏有的指控。

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