聯電今（9）日深夜十點在官網上刊發聲明，希望澄清社會上對公司自有DRAM技術的諸多誤解。
聯電指出，實際上自1996年公司啟動計畫開始，聯電便已累積15年的DRAM研發技術，整個團隊最多時達到150人，例如現任共同總經理之一的簡山傑，就是當年研發製程經理；且公司現有先進量產製程達14奈米，與美光發生爭端的32奈米技術，聯電強調，「在聯華電子的計畫啟動當時，已經是落後幾個世代的技術。」
對於美光掌握自有技術，聯電也提醒這又是一個誤解，美光現有技術，實際上乃是來自當年向台灣瑞晶、日本爾必達購買的25奈米技術。
聯電指出，公司與福建晉華合作，聯合開發DRAM製程，是與聯電晶圓代工本業完全分開的業務，而且早在2016年4月、根本還沒有發生中美貿易戰之時，也已經獲得主管機關許可。
盡管聯電、晉華合作團隊成員接近300人，但其中只有不到1成的人，曾經在美光公司工作。而且聯電DRAM的基礎元件設計，也和美光公司的架構完全不同，「簡而言之，聯華電子開發的記憶胞架構是3x2佈局的儲存單元，這與美光公司的2x3佈局的儲存單元是完全不同的。」
聯電最後強調，公司將不會「在報刊上」進行訴訟，暗指公司不會積極大打輿論戰，但會盡全力防衛任何子虛烏有的指控。
