中國突破美國EUV封鎖？烏凌翔比對外媒「神秘報告」：研發成功不意外

美國持續在先進晶片製程上對中國採取嚴格的管制措施，科技力智庫執行長烏凌翔在《烏鴉笑笑》節目中引述外媒WCCFtech報導指出，最新報告顯示，中國自主研發的光刻機（EUV）將於2025年第三季進入試產，並採用新型的LDP光源技術，若中國成功自主研發出光刻機，對於現在的美中科技競爭格局，乃至於整個半導體產業的晶片生產效率、良率都將造成重大的影響。

烏凌翔在節目中提到加拿大媒體WCCFtech報導，根據最新的報告指出中國自主研發的光刻機（EUV）將於2025年第三季進入試產，採用更簡單、高效的設計方法，而華為將從中受益。烏凌翔補充，消息來自社交媒體X上兩個社交帳戶，其中一個帳號Zepher秀出抖音截圖照，隔著玻璃的一台機器上寫著光刻物鏡裝調干涉儀，下面一行字則是「極端光學技術與儀器全國重點實驗室」。

另一篇貼文則是由X帳號馬悟空貼出相同的照片，並以西班牙文寫下，中國華為已經在測試自己的極紫外光刻機，這對半導體製造至關重要，中國開發的EUV機器採用雷射放電誘導等離子體、LDP技術，正在華為東莞工廠進行測試，計畫將於2025年第三季進入試產，2026年全面投產。

烏凌翔指出，WCCFtech的新聞根據一份最新的報告以及上述兩篇貼文，但沒有提及這份報告的真實出處，而是故意夾入先前的報導「華爲在美國晶片制裁下仍然能製造75萬先進晶片」，而這份報告的出處來自美國知名智庫CSIS（美國戰略暨國際研究中心）所發佈報告「Deepseek, Huawei, Export controls, and the futere of the US-ChinaAI Race」，不過若仔細看這份報告中並沒有提到中國將於今年第三季能夠試產EUV的消息。他也說，WCCFtech雖以此隱藏消息來源，但他相信WCCFtech有相當專業的消息來源。

烏凌翔認為，因為提及的中國的EUV正在採用LDP（雷射誘導放電產生高能量電漿），與過去主流兩種產生EUV光波技術LPP以及DPP相比，荷蘭艾司摩爾（ASML）所採用的技術就是前者，而經請教ASML資深退休工程師確認了這點，但尚不清楚LDP是什麼技術。報告中指出，這項技術來自於哈爾濱工業大學，該大學於近期宣布成功研發13.5nm DPP系統，成功在EUV光源上繞過ASML的技術壁壘，認為在中國被美國科技卡脖子情況下有了新的突破，對於美中競爭的格局將有相當大的改變。 （相關報導： 台積電加碼完，美國要端整碗？亞利桑那州長傳將來台　宴請半導體供應鏈台廠 ｜ 更多文章 ）

烏凌翔表示，這則新聞之所以值得留意是因為這和他近期前往去深圳查訪所得來的消息相符，過去認為中國會專心專攻DUV等到能夠製造出DUV後再開發EUV，但其實中國有兩套體系、兩套人馬同時在進行EUV的開發工作，所以看到WCCFtech的報告就沒有那麼意外了。烏凌翔認為，如果真的中國開發出光刻機，不管技術是用LPP、DPP還是LDP創新光源技術，這些細節都牽涉光刻機未來的成本和效率，也牽涉晶片生產的良率與價格。