2019年，在為一本關於美中競爭的書進行調研期間，我參觀了華為（Huawei）在東莞新建的龐大研發園區。這裏距離華為的深圳總部約有一小時車程。該園區景象令人嘆為觀止：佔地300英畝，容納了2.5萬多名員工，建有12個仿照巴黎、盧森堡等城市的歐洲風格「小鎮」，這些小鎮由一列仿照深圳地鐵打造的小火車連接。一位華為高管一本正經地向我解釋這一設計：「我們在歐洲發展得很好。」
這座園區無處不彰顯著該公司的自信。在當年11月接受《華爾街日報》專訪時，華為創始人任正非邀請時任美國總統川普前去參觀，並以其一貫的豪言壯語對美國的制裁不以為意。他在談到這些制裁時表示，他們盡可以一直制裁我們，「我們沒有美國是能生存得下來的。」
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六年多過去了，華為依然屹立不倒，也依然自信滿滿。上周，華為半導體業務負責人何庭波在上海舉行的一場晶片會議上登台，宣布「摩爾定律」有了「繼承者」。自1960年代以來，晶片性能大約每兩年增長一倍的規律一直是該行業遵循的經驗法則。被譽為華為「晶片女王」的何庭波將這一「繼承者」稱為「韜定律」。
然而，仔細研讀該公司的技術論文就會發現，其中傳遞的訊息與華為想表達的並不一致。
這種工程技術確實成立。可以將傳統晶片想像成一個單層建築——幾十年來，要提升其「容量」，唯一的方法就是縮小內部的一切東西。華為的技術則另闢蹊徑：不再致力於縮小尺寸，而是往上堆疊，將兩層電路堆疊在一起，從而縮簡訊號傳輸距離。該公司表示，這種方法將使其下一代晶片的晶體管密度比上一代提升55%，並有望到2031年實現尖端性能。
「這種工程技術確實令人印象深刻，」評估了該論文的獨立半導體分析師吉米·古德里奇（Jimmy Goodrich）指出，「但將其稱為『‘突破』’則並不成立。」他說，這是因為華為是在利用現有的工具做一些巧妙的改進——這才是實際情況。
向上堆疊並不算新想法——台積電（TSMC）、英特爾（Intel）、AMD和三星（Samsung）也在這麼做。古德里奇說，不同之處在於，這些公司的設計都是在採用極紫外光刻（EUV）技術製造的晶片上堆疊：EUV是過去十年推動該行業取得最大進步的製造工藝。EUV光刻機幾乎完全由荷蘭的艾司摩爾阿斯麥（ASML）製造，而自2019年以來，美國主導的出口管制已禁止向中國銷售此類設備。
中國目前還沒有本土的替代技術。華為正將堆疊技術宣傳為傳統晶片演進的替代方案，而非補充手段，原因恰恰在於：能讓其成為補充手段的那項關鍵技術，正是華為求而不得的。 （相關報導： 華爾街日報》國民黨主席鄭麗文訪美，政治主張呼應北京立場 ｜ 更多文章 ）
華為關於「韜定律」的論文基本上承認了這一點。該論文在開頭指出，對於那些「使用最先進光刻技術受到限制的組織來說，這種限制更早地變得具有約束力，並且更加嚴重。」幾頁後又寫道：「假設另一個節點將解決該問題，則不再成立。」
