華為日前推出新機，因被視為「突破美國制裁」而廣受矚目，各界關注、討論不斷，質疑與吹捧皆有。就現有資訊看，華為新機雖有突破，但距離中國脫離美國的半導體封鎖還遠得很，不過，美國政府確實可能因此陷入兩難之中。
8月底時華為推出最新的旗艦新手機Mate 60 Pro搭載由海思設計、中芯製造的7奈米製程麒麟9000s處理器，由於網路上的測評其速度性能類似於5G手機，而先前美國對華為的制裁已讓其5G晶片斷貨，無法再製造銷售5G手機，因此這次華為推出5G旗艦機，中國內部充滿興奮之情，認為是「突破美國封鎖與制裁」、「重返榮耀與5G技術」，但持保留態度者則認為「這是4G升級版，還不算5G」。
雖然有迴異、對立的看法與評價，不過，客觀的看，華為新機確實代表中國對美國的半導體封鎖的突破，至於官媒興奮宣稱的「突破封鎖」則尚未達到，因為華為新機只是「一個點」的突破，但中國半導體卻是被美國「全面封鎖」。美國財經媒體《彭博》委託半導體研調公司TechInsights拆解後說，這顯示北京傾全國之力跳脫美國的科技圍堵「正取得初步進展」─意思就是這只是初步進展、距離全面解除尚遠，應該算是公允的說法。
說有突破，應該不難理解。當初美國針對華為祭制裁，就是打掉其5G晶片供貨來源，最後迫使一度短暫站上全球智慧手機冠軍的華為，不得不賣掉榮耀品牌、幾近退出市場。而美國針對中國半導體尖端製程的封鎖，也讓中芯等晶片製造商被迫停在14奈米的技術上。
但華為新機顯示的是華為突破5G封鎖、中芯也突破14奈米封鎖線邁進到7奈米製程，而且新機的供應鏈超過9成在中國境內，算是實現「去美化」供應鏈。因此，不論這個新機是真正的5G或是「4G升級」，都有突破美國封鎖與制裁的宣示意義。
不過，把此視為中國已突破美國制裁，則明顯過頭誇張了，因為事實上，中國半導體的尖端製程仍被美國的制裁「掐」得死死，中芯雖然能利用大多生產14奈米晶片的設備（DUV深紫外線光刻機），生產出7奈米晶片，但再往上呢？就目前技術而言，非有EUV（極深紫外線光刻機）不可，而EUV已被禁止出口到中國。因此中國的半導體還是在美國制裁陰影下，看不到繼續往更尖端製程（5奈米等）升級的路徑，難謂已掙脫「卡脖子」的困境。
何時才能算是掙脫美國的制裁呢？當中國真正實現半導體設備自主生產的時候。
半導體是一個誕生在全球化時代的產業，因此半導體製造需要的所有原料元件、設備都是高度全球化，而且往往是你中有我、我中有你，即使是號稱獨步全球、由荷蘭廠商ASML生產的光刻機，內部最重要、核心的元件也是分別來自德國與美國，因此說要實現「100%的半導體自主」大概是奢望、更不切實際，但主要的生產設備自主卻有必要，除了眾所皆知的ASML光刻機外，還有其它如沉積、蝕刻、量測、檢驗需要的半導體設備，軟體類的EDA….等。 （相關報導： 華為推新機打臉制裁？郭正亮曝美方2派意見：台灣恐步上南韓這後塵 ｜ 更多文章 ）
中國是有半導體設備的製造商，只是技術與國外差距大，例如上海微電子能生產光刻機，是中國最領先的廠商，但其最先進的產品只是年底可交付的28奈米DUV光刻機，雖然中國內部已視為一大突破，能確保成熟製程的晶片生產，但這與ASML的技術差距大到N個世代，而且，這還只是尚未實現的「傳說」，更未被驗證其設備的好壞。
