輝達指定「一律得用台積電3奈米」！記憶體3大廠都被點名　韓媒：三星點頭了

三星在晶圓代工領域上正試圖追趕台積電，不過韓媒《首爾經濟日報》（Seoul Economic Daily）今（18）日最新報導指出，輝達（NVIDIA）為了自家產品的品質一致，已要求三星、SK海力士及美光，在輝達的客製化高頻寬記憶體（NVHBM）上，使用台積電的3奈米製程製造基礎晶粒。

報導指出，三星已決定將採用台積電的製程，生產輝達下一代客製化高頻寬記憶體的核心，也就是基礎晶粒。目前三星供應的所有HBM產品，基礎晶粒均由三星自行生產，「不過三星已決定接受輝達的技術要求」，調整原本由自身一手包辦HBM製造的整合策略。

報導提到，據業界人士18日透露，輝達已要求三星電子、SK海力士（SK hynix）與美光（Micron）3家供應商，使用台積電的3奈米製程製造基礎晶粒。這3家公司都是輝達在8月公布的客製化NVHBM供應商；此外，輝達也要求3大廠，對於核心晶粒統一採用第6代DRAM、也就是1c製程；NVHBM則是以第7代技術為基礎。

報導表示，輝達提出這項要求，是因為不同HBM供應商，各自製造基礎晶粒的方式各異，導致雖然產品是同一套設計，卻難以確保成品具有一致的性能；統一製程標準，也能減少輝達針對不同供應商分別進行產品驗證的負擔。

報導透露，負責三星晶圓代工業務的「裝置解決方案部門」（Device Solutions），在經過內部評估後，決定接受輝達的要求。4年前三星就曾與台積電合作，確保HBM與繪圖處理器（GPU）整合時，能夠相容於台積電的先進封裝製程；不過這次是雙方首次在HBM製造階段就展開合作。

報導也提到，不過三星並未排除在NVHBM的開發、生產過程中，使用自家晶圓廠的可能性。一名業界人士表示，「三星正在驗證，是否也能透過自家晶圓代工廠生產NVHBM的基礎晶粒」，這項安排是三星為了可能出現的產能問題預作準備，以防未來NVHBM需求，超出台積電的生產能力。

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