華邦電(2344)狂飆117元！DRAM缺貨到2028年，記憶體族群強勢表態「關鍵是這3點」

記憶體大廠華邦電（2344）5月5日召開法說會後，市場買盤全面點火。受惠AI帶動DRAM與Flash價格同步上揚，公司首季財報繳出亮眼成績單，不僅毛利率衝破53%，單季EPS更達2.25元、創歷史新高。

利多消息迅速反映在股價表現上，華邦電5月6日開盤即攻上108.5元漲停，重返百元俱樂部。今（7）日盤中股價續強，根據5月7日10:25最新資料，盤中最高來到117元，現股價約112.5元，漲幅約3.69%，成交金額突破274億元，人氣居台股前段班。

華邦電第一季合併營收達382.53億元，年增91.3%；營業毛利率53.4%，較上季大增11個百分點，歸屬母公司稅後淨利101.14億元，每股盈餘（EPS）2.25元，不僅較去年同期虧損0.24元大幅轉盈，更刷新公司歷史新高紀錄。

從產品結構來看，客製化記憶體（DRAM）占第一季營收47%，營收季增93%，位元出貨量季增約25%，平均售價季增超過50%，20奈米產品成為主要成長動能。

快閃記憶體（Flash）則占營收32%，營收季增23%，高容量產品出貨比重持續提升，平均售價上漲約30%。邏輯產品線占比約21%。

終端應用方面，消費性電子以及車用、工業應用各占30%，通訊電子占27%，電腦相關應用則占13%。

華邦電總經理陳沛銘在法說會上直言，目前AI需求對全球記憶體市場產生巨大「磁吸效應」，大量產能被AI伺服器與高頻寬應用吸走，進一步擠壓DDR4與中低容量Flash供給。

他更坦言，目前DRAM產能「緊得不得了」，預估供給缺口恐一路延續至2028年以後，DDR4與LPDDR4已進入結構性缺貨階段。

面對AI需求快速升溫，華邦電同步加速擴產布局。公司董事會已通過新增73億元資本支出，其中超過50億元將投入邊緣AI客製記憶體CUBE（客製化超高頻寬元件）相關設備。

此外，高雄廠B模組規劃案也正式啟動，初期設計案金額約3至4億元，同步增購快閃記憶體測試設備。在DRAM產能方面，高雄廠月產能預計從今年初的1.5萬片，大幅提升至明年的2.4萬片，位元出貨量年增幅約達80%。

除了DRAM外，SLC NAND Flash也成為華邦電積極搶攻的新戰場。由於國際大廠逐步退出2D製程市場，供給缺口持續擴大，公司規劃今年SLC NAND Flash位元出貨量年增20%，明年再進一步成長40%。月產能將從去年的4萬片，提升至2027年元月的5萬片，晶圓產能增加約20%，位元產出則可望提升40%至50%。

法說會後，市場資金快速回流記憶體族群。根據公開資料，外資5月6日單日大買台股751億元，創史上第四大買超紀錄，華邦電也名列外資買超個股前段班。

除了華邦電外，南亞科（2408）、旺宏（2337）等記憶體股同步強勢表態，市場開始重新聚焦「記憶體超級循環」題材。

市場觀察認為，過去華邦電長期被視為獲利能力偏弱的利基型記憶體廠，但此次毛利率一舉突破50%、單季獲利超過百億元，已明顯改變市場對其評價。

若第二季報價與獲利持續維持高檔，不排除股價仍有機會再挑戰波段新高。

• AI需求是否持續推升DRAM與Flash價格
• 高雄廠擴產進度能否如期到位
• 記憶體超級循環是否正式成形

隨著AI伺服器、高頻寬記憶體與邊緣運算需求同步升溫，市場資金正重新回到記憶體族群。對投資人而言，華邦電這場由AI帶動的獲利爆發，可能才剛剛開始。

華邦電2026年第一季EPS為2.25元，創下公司歷史新高。

主要受惠AI需求帶動DRAM與Flash價格上漲，加上首季財報優於市場預期，帶動資金湧入。

公司看好DRAM、SLC NAND Flash以及邊緣AI客製記憶體CUBE未來需求持續成長。 （相關報導： 主動式遭大屠殺！外資狂砍「ETF人氣王」逾20萬張　專家曝股價衝擊：小蛋糕一塊 ｜ 更多文章 ）

華邦電總經理陳沛銘表示，DRAM供給缺口可能一路延續到2028年以後。