世界級記憶體基地落戶武漢 總投資達新台幣7200億

2016-03-28 15:42

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武漢記憶體基地啟動儀式。

武漢記憶體基地啟動儀式。

總投資240億美元(約合新台幣7200億元)的中國國家級存儲器(記憶體)基地項目,28日在武漢東湖高新區開工建設。該項目位於武漢東湖高新區的光谷智能製造產業園,內容包括晶片製造、產業鏈配套等,將在5年內投資240億美元,預計到2020年形成月產能30萬片的生產規模,到2030年建成每月100萬片的產能。

騰訊科技報導,承接記憶體基地項目的東湖高新區,是繼北京中關村後的第二個國家自主創新示範區,依其在光電資訊產業領域的地位,被譽為「中國光谷」。光谷在2015年的企業總收入突破兆元人民幣。

武漢東湖高新區的光谷園區。
武漢東湖高新區的光谷園區。

中新社稱,該項目建成後,可以帶動設計、封裝、製造、應用等晶片產業相關環節的發展,集合已經在武漢東湖高新區形成規模的顯示產業(天馬、華星光電)、智能終端(華為、聯想、富士康)等產業,打造兆元級的晶片-顯示-智能終端全產業鏈生態體系,將成為中國乃至全球最密集的電子資訊產業基地。

武漢新芯商務長陳少民日前在「中國存儲器產業發展論壇」表示,中國發展態勢最好的是封測業,正在更深地進入先進和高端封測市場;成長最快的則是設計業,但中國設計業市場份額依然很小。據中國半導體行業協會2014年統計,中國IC產業當年銷售額達到490億美元,自2005年以來復合年均增長率高達18%。

記憶體是半導體三大支柱產業之一。據IC Insights數據,2015年半導體存儲器市場總額達835億美元。而在各類存儲器(記憶體)中,NAND Flash是一個亮點。其廣泛應用於PC、手機、伺服器等各類電子產品,2015年營收達到267億美元。

陳少民說:「過去,我們所使用的都是2D NAND,即二維層面上的閃存。但2D NAND工藝逼近物理極限,單位面積存儲容量難以繼續提高,且可靠性降低,2D NAND向3D NAND轉型已是業界趨勢。」

武漢新芯商務長陳少民先生。
武漢新芯商務長陳少民先生。

湖北省、武漢市和東湖高新區在2006年投資100億元人民幣,建設武漢新芯12吋晶圓製造項目。經過10年的打造,武漢新芯已成為中國唯一以存儲器為主的集成電路製造企業。湖北省、武漢市、東湖高新區又共同設立了500億元人民幣的「湖北集成電路產業專屬投資基金」,用於記憶體生產研發以及產業鏈上下游項目建設。目前,武漢東湖高新區初步形成了涵蓋設計、製造、封裝等比較完整的產業鏈,成為中國重要的集成電路產業聚集區之一。

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