例如中國的 AI 晶片市場就有將近 80% 是由 NVIDIA 所壟斷，禁令影響到的是中國廠商向先進高端領域的發展，包括自駕車、邊緣運算、機器人、數據中心等需要大量運算需求的產業，而且即使中國的 IC 設計業者已經有能力自行設計出高階晶片，但中國本土並沒有相應的晶片製造能力，因為 14 奈米以下的設備以及 3 奈米以下的 EDA 程式都已被禁止，短中期是很難在技術上進行國產替代，長期來看，確實會讓中國在新興科技領域的發展受到相當大的限制。
二、面對壓力，中國尋找的三大潛在突破口
在美國逐漸封鎖 EDA 和高階晶片下，中國廠商將加緊朝國產自主方向發展，我們認為有三個領域會是作為美國禁令的主要突破點：
1、專攻成熟製程發展：作為目前發展相對成熟的晶圓代工產業，中國也寄望在成熟製程領域提高市佔率以獲得更多話語權，在 2021 年美國的半導體設備禁令還沒升級至成熟製程設備前已先大量採購海外生產設備。根據 Trendforce 預估，2022 年至 2025 年全球 12 吋晶圓廠將由 139 座提高至 199 座，其中 中國增加的產能最大，以約當產能來看中國佔比將提高至 27%，而大部分也會是成熟製程為主。
2、透過開放性架構 RISC-V 發展自研晶片：目前市面上主流的高階晶片幾乎都是採用 x86 及 Arm 架構來做設計，但這些架構都是被美國及其盟友所把持，因此擁有開放性架構的 RISC-V 便成了中國在自研 CPU 及 GPU 上的突破口，包括伺服器、AI 運算、物聯網等領域。
3、政策持續扶植第三代半導體：自美國對華為和中興禁運以來，中國為了不繼續被美國卡脖子，在十四五計畫中將第三代半導體作為戰略重點投資領域，5 年期間內預計投入將近 10 兆人民幣試圖藉此彎道超車。
以上三個方向中，我們認為成熟製程是目前中國是最有機會達到國產替代的部分，第三代半導體雖然中國砸下重本投資，但技術及影響力仍相對美歐企業落後幾個世代，RISC-V 有機會作為中國自研晶片的突破口，但最終仍會因為設備禁令在晶片製造的部分卡關。
我們從美國發動科技戰的目的以及目前全球 EDA、IP 及 IC 設計市場的分布及研發支出來看，美國在政府加大主導科技趨勢下，將高機率繼續握有科技的主導權。而中國在前沿科技的發展將遇到一定的障礙，而這也會促使中國更積極在成熟製程、RISC-V 和第三代半導體材料尋找突破口，但技術上的壟斷以及晶片製造的卡關，仍會是中國未來要繼續面對的問題。
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責任編輯／林彥呈
