拜登在今年2月表示，要為《美國晶片法》的實施爭取370億美元的撥款投入，但在他3月31日宣布的2兆美元基礎設施計劃中，用於半導體製造和研發方面的專項投資加碼到了500億美元。
不過，目前白宮已將基礎設施投資計劃的投資總額降低到1.7兆美元，試圖消除共和黨人對預算中納入的不必要花銷的不滿。半導體項目500億撥款能否落實還是一個未知數。
國會參議院方面，此前獲得跨黨派支持的《無盡邊疆法》（Endless Frontier Act）最近追加修正案，為美國半導體產業提供520億美元的聯邦政府資助。參議院民主黨領袖舒默5月18日在院會發言中說，這筆資金將即刻促進國內晶片生產，加強半導體供應鏈安全。
《無盡邊疆法》本月在參議院商務委員會通過表決，經修訂後改名為《美國創新和競爭法》（US Innovation and Competition Act）。舒默的書面聲明說，這項補充撥款提案計劃在未來5年投入390億美元，完全用於旨在帶動傳統晶片生產的激勵項目，另投入105億美元用於支持半導體研發項目。
「這對我們國家的經濟，包括汽車和科技產業在內，以及軍事都是非常關鍵的。」舒默說：「我們不能依賴外國生產的晶片了。」
與此同時，美國半導體企業還在遊說政府出台更優惠的稅收減免措施，為晶片製造設備採購、設施建設、研發等方面爭取高達40%的稅收減免。
與之相比，韓國最近出台的半導體產業扶助計劃也納入了類似的稅收優惠措施，將大公司的半導體研發投入的稅額抵扣率從30%提高到40%—50%，設備投資的稅額抵扣率增加到10%—20%。預計三星電子、SK海力士將是直接受益者。
而在美國本土進行的私企投資方面，除了三星提出的170億美元晶片代工廠計劃之外，奉行垂直整合製造（IDM）模式的美國半導體巨頭英特爾今年3月提出了在亞利桑那州投資200億美元新建兩座晶圓廠的計劃，計劃2024年投產。
另據路透社報導，台積電繼去年宣布將在亞利桑那州鳳凰城投資100億至120億美元興建晶片工廠後，最近考慮加碼在美國投資，生產更先進的3奈米晶片，新工廠可能耗資230億至250億美元。
中國晶片競爭力壓力陡生
以台積電和三星為主導的台灣和韓國半導體製造商目前佔據全球先進晶片生產的半壁江山。如果美國對晶片製造業的國家支持得以落實，美國本土晶片產能將大幅提高。與此同時，中國的國產晶片征程將面臨更多險阻。
中國是世界上最大的晶片市場，但本土企業產能遠遠不能滿足內需。有預測說，如果美國晶片製造激勵政策得以落實，美國企業的全球份額可以提升到世界第二，而中國產能仍將落後。
