由於牆壁上的插座提供的是110或220伏特(V)的交流電(AC)，但是幾乎所有電子產品使用的積體電路(IC)都是直流電(DC)，因此我們就必須使用電源供應器來轉換交流電與直流電，可以分為下列四種常常讓人頭昏腦脹的專有名詞：
➩變壓器(Transformer)：將交流電(AC)轉換成不同電壓的交流電(AC)。
➩整流器(Rectifier)：將交流電(AC)轉換成直流電(DC)。
➩穩壓器(Regulator)：將直流電(DC)轉換成不同電壓的直流電(DC)。
➩逆變器(Inverter)：將直流電(DC)轉換成交流電(AC)
逆變器(Inverter)通常使用在太陽電池，因為太陽能板是接收光能產生直流電(DC)，而一般住家的插座是使用交流電(AC)，因此必須經由逆變器將直流電(DC)轉換成交流電(AC)才能與目前發電廠產生的交流電力系統併網，這個轉換恰好與我們平常使用的電源供應器(交流電轉換成直流電)相反，故稱為「逆變(Invert)」。
使用碳化矽是為了高功率，使用氮化鎵是為了高頻率
目前用來製作電源晶片的主要元件有「金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET：Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)」與「絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor)」，差別在元件的結構與製程，MOSFET結構與製程簡單，但是只能承受較小的功率，IGBT結構與製程複雜，但是可以承受較大的功率，如圖一所示。
我們國中都學過「功率(瓦特)」等於「電壓(伏特)」乘以「電流(安培)」，因此較大的功率意思是較大的電壓或電流。低功率的電源晶片應用在手機、電腦、電視的電源供應器；中功率的電源晶片應用在電冰箱、冷氣機、工廠設備的電源供應器；高功率的電源晶片應用在電動車、捷運、高鐵、太陽能與風力發電的電源供應器。
低功率的電源晶片是使用第一代半導體矽(Si)的MOSFET來製作，結構與製程簡單，如果要提高功率必須改用矽(Si)的IGBT來製作，結構與製程複雜；如果希望高功率又體積小則必須換材料，改用第三代半導體碳化矽(SiC)的MOSFET來製作；如果希望高頻率又體積小則必須換材料，改用第三代半導體氮化鎵(GaN)的MOSFET來製作，提高主動元件(MOSFET)的頻率可以縮小被動元件(電容、電感)的體積，這樣就會縮小整個電源供應器的體積，如圖二所示。
