美國已通知亞洲三大晶片製造商，它們在可預見的未來可以繼續保持目前在中國的營運，不過進行重大技術升級可能困難。
拜登（Biden）政府在一年前對中國半導體行業實施了重大限制，旨在遏制中國在先進技術領域的軍事進步。這一舉措尤其令在儲存晶片領域佔據主導地位的韓國三星電子（Samsung Electronics Co.）和SK海力士（SK Hynix Inc.），以及全球最大的合約晶片製造商台灣積體電路製造股份有限公司（Taiwan Semiconductor Manufacturing, TSM, 簡稱：台積電）感到不安。
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這三家公司是少數幾家在中國擁有相當規模生產基地的境外晶片製造商。這些公司擔心，對它們在華業務設置重大障礙將損害其淨利潤，並擾亂技術供應鏈。
拜登政府於2022年10月批准了對這三家公司為期一年的豁免。但擔憂依然存在。對SK海力士而言，如果在中國繼續營運變得過於困難，該公司甚至考慮在長期內遷出中國的可能性。
周一，韓國政府表示，三星和SK海力士被認定為「經驗證最終用戶」，這將允許它們為其現有在中國的工廠進口美國晶片製造設備，而無需另行尋求美國的批准。韓國總統辦公室在聲明中說，這一認定沒有結束日期。
據知情人士透露，韓美兩國已就一份預先批準的晶片製造設備清單達成一致，從而能讓三星和SK海力士保留其在中國的工廠，並對當前的生產技術進行小幅升級。
據了解美國政府舉措的人士表示，與去年一樣，台積電將再次獲得為期一年的豁免。華盛頓方面告訴台積電，只要不進行重大技術升級，該公司在可預見的未來可以保持在中國的營運。
目前尚不清楚台積電是否會被認定為「經驗證最終用戶」，也不清楚三星和SK海力士是否還需要再延長一年期豁免。與韓國不同，台灣尚未對此事公開置評。
負責實施出口限制和經驗證最終用戶計劃的美國商務部工業和安全局（Bureau of Industry and Security）未予置評。拜登政府此舉符合晶片行業先前的普遍預期。
SK海力士表示，美國的這一決定將有助於穩定全球半導體供應鏈。三星電子表示，其中國晶片業務的不確定性已大大消除。台積電一位發言人未予置評。
據中信里昂證券（CLSA）估計，2010年以來，三星和SK海力士共向其在中國的晶片製造廠投資了約55兆韓圓（約合407億美元）。
這兩家韓國公司在華生產的中長期前景仍是個問題。其中一種儲存晶片生產的進一步升級必須採用被禁止出口到中國的新設備。具有政府背景的智庫韓國國際經濟政策研究所（Korea Institute for International Economic Policy）的Yeon Won-ho說，三星和SK海力士還必須時刻注意產能擴張情況，因為這可能會違反美國旨在限制對華投資的補貼條款。
「這些最新的措施消除了韓國晶片製造商的短期不確定性，他們將能夠繼續目前在中國的業務，」研究經濟安全的Yeon說：「但影響韓國企業（在中國）業務的限制並沒有全部解決。」
晶片市場分析公司集邦科技（TrendForce）駐台北分析師Avril Wu表示，鑑於儲存市場長期低迷導致公司財務狀況吃緊，目前看來三星和SK海力士沒有必要大幅擴大在中國的生產。
周三，三星預計第三財季營運利潤將同比下降約80%。接受FactSet慧甚調查的分析師預計，SK海力士該季度將由上年同期的盈利轉為虧損約12億美元。
中國在NAND快閃記憶體和DRAM這兩種主要儲存晶片方面嚴重依賴三星和SK海力士。中國的同業企業還沒有能力大規模生產科技產品所需的這兩種先進製程儲存晶片。今年5月，中國政府禁止某些關鍵資訊基礎設施行業的本土企業從總部在美國的美光科技公司（Micron Technology., MU）購買儲存晶片，中國對韓國這兩家企業的依賴性進一步增強。
據集邦科技（TrendForce），三星電子約40%的NAND快閃記憶體在中國生產，SK海力士約45%的DRAM和30%的NAND快閃記憶體在中國生產。TrendForce稱，第二季度，三星電子、SK海力士和美光科技合計佔據了DRAM市場約96%的份額，占NAND快閃記憶體市場的62%左右。
美國主導的其他針對中國半導體行業的措施將繼續限制韓國在華工廠未來的發展方向。華盛頓方面在美國《晶片法案》（Chips Act）補貼計劃中附加了所謂的「中國護欄」條款，規定那些獲得聯邦資金的企業在中國的半導體投資不得超過規定的門檻。
在美國的敦促下，荷蘭和日本已經禁止向中國出口生產先進製程晶片所必需的設備，其中包括SK海力士在中國生產DRAM所使用的一些設備。
里昂證券駐首爾高級分析師Sanjeev Rana認為，根據可能獲得批準的設備類型，這兩家韓國晶片製造商將能夠把其在中國的業務升級一或兩代。不過，他說，這與業內最先進的技術仍相去甚遠。
台積電目前在中國東部城市南京設有工廠，生產成熟製程晶片。今年4月，該公司表示南京工廠28奈米成熟製程產能的擴建正在依計劃進行。
