# DUV光刻機  

中國半導體設備傳出最新突破，據中媒《快科技》報導，中國科學院近日成功研發突破性的深紫外光曝光機(DUV)，可發射波長193nm的光子，與目前主流波長一致，理論上能將半導體工藝推進至3奈米，並且在技術上與艾司摩爾（ASML）、佳能（Canon）、尼康（Nikon）等國際大廠不同；不過目前輸出功率、頻率都與商用水準有落差，仍需繼續研發。

中國在美國晶片制裁下積極實現半導體製造自主，而在生產過程最為重要的光刻機發展上，近期傳出有所突破。媒體人烏凌翔在節目《烏鴉笑笑》中提到，中國有一座比較先進的自製光刻機近來已交付中芯（SMIC），推測應是由深圳新凱來所製造出的原型機，不過距離實際的應用，仍有一大段的距離需要克服。

中國半導體技術近日傳出有重大突破，中國工信部月初公布一項通知，內容顯示其國產研發出的氟化氬光刻機，即深紫外光曝光機（DUV），分辨率小於65奈米（nm）、套刻精度小於8奈米，被解讀為可生產8奈米及以下晶片。不過，台大電機博士畢業的科技產業專家「曲博」曲建仲直指，目前中國該款光刻機的製程能力，大該就是落在55奈米到65奈米之間。

中國工業和信息化部（簡稱工信部）近日在官網發布了「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」通知，曝光多項重點發展的技術裝備，涵蓋一項國產「氟化氬光刻機」（DUV曝光機），其核心技術指標包括晶圓直徑300mm、照明波長248nm、解析度≦65nm、套刻≦8nm，還傳出已可自主生產「8奈米及以下的晶片」。不料，如今就連中國自家媒體也打臉，此款DUV曝光機其實只能生產65奈米或以下晶片！

中國工業和信息化部公布了一份重大技術裝備推廣目錄，其中包括一項國產「氟化氬光刻機」（DUV光刻機）。這台DUV光刻機的核心技術指標包括：晶圓直徑300mm、照明波長248nm、分辨率≦65nm、套刻≦8nm。中國媒體指出，這意味著中國已可自主生產「8奈米及以下的晶片」。

中國工業和信息化部近日在官方網站發布了「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」的通知。該目錄涵蓋了多項國家重點發展的技術裝備，其中包括了積體電路生產領域的重大突破。工信部強調，這些重大技術裝備對國家綜合實力和安全至關重要，要求地方政府加強相關支持政策的協同。

荷蘭首相史庫夫（DickSchoof）8月30日表示，荷蘭政府在決定進一步收緊晶片製造設備對華出口限制時會考慮ASML的經濟利益。

中國通訊科技巨頭華為號稱要超越在中國市佔率90%的輝達A100，卻因為美國制裁因素，再加上中芯國際代工的良率極低、設備頻繁故障，導致華為的第二代AI晶片「昇騰910B」難以擴充產能。

香港英文報紙《南華早報》1日引述知情人士說法，報導了北方華創科技集團（NauraTechnologyGroup）正在研發光刻系統的消息，華為也申請了「自對準圖案四重化」（SAQP）的專利。雖然目前還不知道何時會有成果，但《南華早報》說，中國廠商正在嘗試各種變通方法，希望能在沒有艾司摩爾（ASML）光刻機支援的情況下自力生產五奈米晶片，突破美國對中國晶片製造能力的打壓。

拜登政府本周擴大了針對中國晶片行業的限制措施，旨在阻止北京獲得美國尖端技術來加強其軍事力量。過去一段時間，中國半導體設備領域發展迅速，但本土廠商仍缺乏提供EUV等全套設備的能力。

路透社報導，為限縮中國的晶片產業發展，美國和荷蘭將再次聯手，要求企業出口高階晶片設備到中國應申請許可證。兩國將分別採取哪些措施？對於近期多項出口管制，業界人士怎麼看？