香港英文報紙《南華早報》1日引述知情人士說法，報導了北方華創科技集團（Naura Technology Group）正在研發光刻系統的消息，華為也申請了「自對準圖案四重化」（SAQP）的專利。雖然目前還不知道何時會有成果，但《南華早報》說，中國廠商正在嘗試各種變通方法，希望能在沒有艾司摩爾（ASML）光刻機支援的情況下自力生產五奈米晶片，突破美國對中國晶片製造能力的打壓。
熟知內情的消息人士對《南華早報》透露，中國的半導體設備龍頭北方華創去年12月就擬定計畫，要今年3月開始研發光刻系統，這個計畫已經超出該公司在蝕刻和薄膜沉積方面的專長。北方華創發言人1日對《南華早報》表示，此一消息並非事實，但也沒有進一步說明詳情。與華為（Huawei Technologies）合作的晶片製造設備開發商新凱來（SiCarrier）上個月申請一項專利，就揭示了一種被稱為「自對準圖案四重化」（SAQP）的技術專利。據稱這種技術可以在矽晶片上多次蝕刻線路、提高晶體管密度和晶片性能。
《南華早報》說，根據《彭博新聞》首先報導的專利文件，這種技術結合了先進的蝕刻和光刻技術，將有效提高電路圖案的設計自由度。更重要的是，若能將SAQP與ASML的舊款深紫外光（DUV）光刻機結合使用，中國就有機會製造出5奈米晶片，無需使用只有ASML才能提供的極紫外光（Extreme ultraviolet, EUV）光刻機。中國公司一直無法獲得EUV技術，為了提防美國政府祭出「卡脖子」的出口管制手段，中方近年儲備了不少DUV光刻機。
中國國家主席習近平上週在北京對荷蘭總理呂特（Mark Rutte）表示，任何力量都無法阻擋中國科技發展進步的步伐。中國商務部長王文濤則對荷蘭商務部長范李文（Geoffrey van Leeuwen）強調，荷蘭應履行合約義務，確保光刻機貿易「正常進行」。不過《南華早報》也說，中國長達十年的自主研發光刻機努力，確實碰到了難以克服的瓶頸。作為中國唯一的光刻系統製造商，上海微電子設備集團（SMEE）確實沒做出能與ASML比肩的先進光刻機。加上SMEE早在2022年12月就被華府列入貿易黑名單，這也意味著它更不可能取得突破。
《南華早報》指出，雖然目前還不能確定北方華創的研發工作能否取得成效，但相關進展表明了中國晶片產業可望突破美國制裁的決心。《南早》強調，這些努力都是在「絕對保密」的情況下進行的，就是希望避免受到華府的進一步制裁，因為美國政府認為，這些做法都是在規避現有的出口管制。彭博新聞指出，在華為取得先進晶片的明顯突破後，美國政府正在考慮將與華為有關聯的中國半導體公司增列黑名單。分析家說，中國企業參與整個晶片工具供應鏈乃是意料中事，因為中國政府正從各個戰線調集資源、企圖突破美方封鎖。
美國積體電路研究公司TechInsights副董事長哈奇森（Dan Hutcheson）表示，中國的SAQP技術很可能涉及北方華創和上海微電子，因為光刻技術需要蝕刻和沈積方面的專業知識。他認為這項專利技術運用蝕刻和沉積步驟取代了光學光刻的原有做法，可望幫助中國實現自製5奈米晶片的目標。新凱來是在去年12月獲得中國國家知識產權局授予相關專利，這種技術正是使用DUV光刻機和SAQP技術實現5奈米限制的生產方法。花旗集團分析師也在一份備忘錄裡指出，北方華創跟中微半導體設備公司（Advanced Micro-Fabrication Equipment）都在研究一種新的多重圖案技術，希望利用蝕刻就能做出7奈米甚至更先進的晶片。
不過《南華早報》也說，就算中國突破限制、自力做出7奈米甚至5奈米的晶片，這仍然意味著中國的晶片製造技術處理落後階段。因為台積電去年就幫蘋果生產了3奈米晶片，甚至計劃利用ASML的最新EUV光刻機將製程推進到2奈米。雖然中國還在苦苦追趕，但根據北方華創的公開資料，該公司在2023年底已經申請了7900多項專利，並且拿到其中4600多項的專利權。《南早》在報導最後表示，中國的優勢就是政府有能力調動整個國家的半導體供應鏈，在這種情況下，很少人願意與中國對賭。
