戰略與國際研究中心高級副總裁兼戰略技術項目主任劉易斯（James Lewis）說，中國正在重塑全球晶片市場，其戰略目標是取代西方供應商，謀求重組全球秩序，讓中國占據主導地位。他在接受美國之音採訪時說，中國對晶片業的投資是出於政治原因，而不是經濟或商業原因，中國將以一種不公平競爭的方式降低低端晶片的全球價格。他說：「這將導致全球產能過剩，這意味著會有更多的晶片公司、更多的晶片、更低的晶片價格。」
中國國家統計局今年初公佈的數據顯示，中國2021年生產了3594億塊積體電路，同比增長33.3%。總部設在美國的半導體行業協會（SIA）的一份報告預測，如果保持目前的勢頭，到2024年，中國的半導體行業在全球銷售額中的佔比可能高達17.4%，與去年相比幾乎翻了一番。
哈佛大學肯尼迪學院貝爾弗科學與國際事務中心的研究助理員凱文・克萊曼說，中國目前雖然也出口晶片，但主要的目標是供應鏈自給自足。他對美國之音說：「中國最早可能在2025年、更可能是在2030年成為全球領先的晶片製造商，到時候其他國家肯定會依賴中國的晶片。」
中國能否彎道超車？
雖然有這些成功，但中國真正的突破或來自美光科技去年一項革命性創新的啟示。
總部位於愛達荷州的半導體製造公司去年宣布，公司用上一代工藝機器—「深紫外光刻（DUV）」，而不是ASML的「極紫外光刻機（EUV）」率先於業界突破了1α（阿爾法）動態隨機存取存儲器（DRAM）製程技術，並且已經批量出貨。美光稱，其基於1α （1-alpha） 節點、相當於10奈米級別的技術是美光一重大里程碑，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。
這意味著美光用「深紫外線」光刻技術在晶圓上佈置DRAM單元晶片細節，完成了其他公司用波長較小的新一代「極紫外光刻機」也沒有完成的工藝製程。
從光源波長的角度來說，深紫外光刻機理論上遠不如極深紫外線的波長短，折射率和能量都不如極深紫外線。極紫光刻的波長極短，為13.5奈米，而深紫光刻使用的是254-193奈米的光。
目前荷蘭的阿斯麥（ASML）是世界上唯一有能力生產高端極紫外光刻機的公司，英特爾、三星電子和台積電等都無一例外地在用阿斯麥的極紫外光刻機生產晶片。在阿斯麥的17家核心供應商中，一半以上來自美國，而拜登政府基於國家安全考慮已要求荷蘭政府扣留了阿斯麥對中國出口極紫許可證。與極紫相比，深紫光刻機並不像極紫外光刻機那樣依賴美國技術，也不屬於最新技術，因此並不在美國製裁之列。據韓國的《商務韓國》（BusinessKorea）披露的數據，目前阿斯麥30%的銷售額來自中國，其中大部分是向中芯國際銷售深紫光刻設備。
