中國試圖報復美國的晶片管制,極紫外光刻機仍是最大罩門

2023-04-05 16:07

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3月,中國承諾為半導體行業提供稅收減免和其他支持,但還沒有提供具體資金金額。中國政府還在23所大學和6所其他學校設立了「國家集成電路人才培養基地」。

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中國科學院半導體研究所的科學家駱軍委在《中國科學院院刊》2023年第二期上寫道:「半導體是當前中美科技戰的『主戰場』 。」駱軍委還呼籲「半導體自立自強」。

發展半導體行業所需的資金規模是巨大的。全球半導體行業領導者台積電(TSMC)正處於一項為期三年、耗資1000億美元的擴大研究和生產計劃的最後一年。

行業研究人員表示,包括華為技術有限公司(Huawei Technologies Ltd.)和芯原微電子股份有限公司(VeriSilicon Holdings Co.)在內的開發商有能力為智慧型手機設計邏輯晶片,其邏輯晶片與英特爾公司(Intel Corp.)、蘋果公司(Apple Inc.)、韓國三星電子(Samsung Electronics Co.)或英國安謀(Arm Ltd.)的產品一樣強大。但如果沒有台積電和其他境外晶圓工廠的精密技術,這些晶片就無法被製造。

川普在2019年阻止華為購買美國晶片或其他技術,削弱了華為的智慧型手機品牌。美國官員表示,中國首家全球科技品牌華為可能會為中國的間諜活動提供便利,該公司否認了這一指控。2020年,白宮加強管控,阻止台積電等公司使用美國技術為華為生產晶片。

今年8月,華盛頓與歐洲、亞洲和其他一些國家政府一道,對被稱為電子設計自動化(EDA)的軟體施加限制,以限制可能用於製造武器的軍民「兩用」技術的傳播,從而為中國晶片設計商設置了新的障礙。

去年12月,拜登將儲存晶片製造商長江存儲和其他一些中國公司列入黑名單,限制它們獲得任何地方使用美國設備或工藝製造的晶片。

中國的晶圓專工廠可以刻蝕小至28奈米的電路。相比之下,台積電和其他全球競爭對手的刻蝕電路間距僅為3奈米,是中國工業精度的10倍,而且它們正在向2奈米邁進。

貝恩策略顧問公司(Bain & Co)的彼得・漢伯里(Peter Hanbury)說,要製造最新的晶片,「你需要極紫外光刻(EUV)設備,這是一個非常複雜的工藝配方,不是僅需要幾億美元,而是需要數百億美元。」

漢伯里告訴美聯社:「他們將無法生產具有競爭力的服務器、個人電腦和智慧型手機晶片。你必須去台積電才能做到這一點。」

中國共產黨正在努力發展自己的設備供應商,但研究人員表示,中國遠遠落後於遍布數十個國家的全球網絡。

去年12月,華為在其網站上的一段影片中表示,它正在研究極紫外光刻技術。但行業專家稱,製造一台可與艾司摩爾的設備相媲美的機器可能需要50億美元,並且需要10年的研究。華為沒有回應美聯社的置評請求。

漢伯里說,中國距離極紫外光刻機自給自足的那一天「還很遙遠」。

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