到了2nm世代，就需要能更為提高閘極控制力的構造。因此研究開發出了閘極圍繞著通道的構造。這就是GAA（Gate All Around）（圖3-3右）。給予被閘極包圍住的薄通道以足夠大的電流時，電流一定要是能流動的。因此就進行了材料物性的研究。
為了讓大家能有個具體的想像，我們果斷地使用以下的比喻吧。我想停下軟管的水。以前都是用食指壓住軟管上方來停止（平面型）。但那樣做會有水漏出來，所以接下來，我使用了拇指與食指，從兩側夾住軟管（FinFET）。最後則是用五根手指抓住了軟管（GAA）。
配線的構造改革
一旦增加了電路的集積度，晶片的消耗電力就會增加，發熱量也會增加。為了不讓溫度上升的晶片故障，就要決定好電力的容許範圍。
要能不增加電力地提高集積度，降低電源電壓是很有效的。只要把電源電壓降到一半，就能減低CMOS電路消耗的電力到四分之一，所以就能提高集積度到4倍。1980年代的電源電壓是5伏特，而現在則是0.5伏特。就理論上來說，處在室溫下時，能將電源電壓降低到0.036伏特。
但是，在這之前有個很大的問題，那就是電源的配線。
電力是由電壓以及電流的乘積來決定。若要提升集積度又不增加電力而降低電壓，電流就會增加。例如電力是50瓦特時，若電壓是5伏特，電流就會是10安倍，但若將電壓降低0.5瓦特，電流就變大到100安倍。
微波爐以及電熱鍋是10安倍。那麼我們要如何將那十倍大的電流供給給1cm四方形的小晶片呢？
為此，就要將電源配線做得又大又厚不可。結果晶片的電源配置就與微細化背道而馳，變得又厚又多層。在1980年代，半導體基板上所形成的配線層就有2～3層，而最近則是超過了15層。
低層是用短距離配線、中層用遠距離配線，至於上層則使用電源配線。如同人體微血管到大動脈那樣，有各種配線覆蓋住整個晶片。
愈是將電晶體微細化，電源配線就愈是要又粗又厚不可。要解決這樣的兩難，就要著手進行構造改革，將電源配線埋在半導體基板中，並從晶片的內側供給電源。
界限說的趨勢
微細化差不多要到極限了。很久之前就有這樣的說法。
其實自1980年代起就不斷重複出現這樣的說法。可是，實際上，我們已經克服了那樣的說法，至今仍持續在進行微細化。
也有人把這件事揶揄為界限說的趨勢。也就是說是在諷刺「10年後就是極限」的主張已經頻繁持續了超過40年。可是從別的觀點來看，如果就這樣發展下去，我們很清楚10年後會出現什麼樣的極限，所以可以說是已經跨越了那樣的界限。
