而在NAND方面，4月11日由紫光集團聯合國家集成電路產業投資基金、湖北集成電路產業投資基金、湖北科投共同投資建設的國家存儲器基地項目晶片生產機台正式進場安裝，裝機典禮由紫光集團暨長江存儲董事長趙偉國親自主持，國家集成電路產業投資基金股份有限公司（大基金）總裁董事長丁文武也到場支持，紫光集團全球執行副總裁暨長江存儲執行董事長高啓全表示，長江存儲已經獲得第一筆10,776顆芯片的訂單。
中國為發展半導體多管齊下
為了達到上述目標，在美國政府眼中，中國至少曾經使用併購、補貼以及剽竊等三種手段。在併購方面，美國外來投資甚查委員會(CFIUS)曾經阻擋了具中資背景的美國私募基金(Canyon Bridge)併購美國萊迪思半導體（Lattice Semiconductor）、在歐巴馬時代甚在還遠干涉福建宏芯投資基金(FGC)併購德國半導體廠商愛思強公司，今年二月更是直接否決了湖北鑫炎投資基金收購美國半導體設備廠商Xcerra，理由皆是危害美國國家安全。
中國國家資本主義
另一個令美國無法忍受的是，中國雖然在進入WTO之後承諾自由開放市場，但實際上卻是利用國家資源到處介入自由貿易，其中補貼手段更能體現中國實現國家資本主義的經濟模式，台積電創辦人張忠謀於6月14日應歐洲商會邀請演講中，當被問到產業發展應是市場導向或是政策導向時，張忠謀表示，毫無保留地贊成自由市場！但對岸強調的「中國特色的社會主義」，其實就是「大量補貼（heavy subsidy）」，光是半導體就投入至少一百億美元的政策補貼。
面板即為中國實施補貼半導體業例子
中國面板廠京東方日前與福州市政府、福州城市建設投資集團及福州城投京東方投資簽署相關債務豁免協議。鑒於福州8.5代面板廠已量產，且良率達到較高水平，經協議各方確認，同意豁免京東方用於該項目建設的貸款合計人民幣63億元。面板競爭業者韓系、日系與台系不免對於其報以羨慕眼光，因為相對於台系甚至最近整天跑銀行拼三點半上頭條的日系業者而言，他們不但貸款不可能得到豁免，連利息一塊錢都不能少。
在併購失敗與實施大量補貼培養積體電路業之後，最終讓美國政府忍無可忍的就屬剽竊手段。以上述DRAM為例，發展DRAM主要可分前期的設計與製造生產兩階段。而不論是設計或是製造兩個階段，中國廠商從未在此兩領域有所成果，卻能在幾年內訂出追上國際第一線業者的進度。DRAM發展的技術標準，不管是DDR1/2/3/4或是LPDDR系列，都是定義在JEDEC標準中，而上述即將產出中國國產第一個DDR4的合肥長鑫存儲在2016年才成立，卻能跳過DDR1/2/3世代在2018年直接生產目前主流的DDR4產品。
