華爾街日報:《晶片法案》設置「中國防護欄」,讓晶片廠在中美之間左右為難

2023-03-30 08:48

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(美聯社)

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根據《晶片法案》(Chips Act)尋求美國聯邦補貼的半導體公司可能面臨一個艱難選擇:是接受華盛頓方面的幫助在美國擴張,還是保留在中國擴張的能力?

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拜登政府上周提出了新的規定,詳細說明了如果晶片公司接受納稅人的資助,這些公司在中國和其他有關國家的業務將面臨的限制。

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行業高管、律師和國家安全分析師稱,一些被稱為「中國防護欄」的擬議限制措施比他們預計的要嚴厲。這些措施不僅針對可以製造先進軍事武器系統所用晶片的尖端半導體工廠,也針對製造用於消費電子產品的所謂傳統晶片的工廠。

律所Akin Gump為半導體公司提供諮詢的的律師Angela Styles說:「這將使相當多的公司三思他們是否想要接受《晶片法案》的資助。」

這些限制對於在中國有大量業務的東亞公司來說尤其棘手,這些公司已經在中國投入了數以十億美元計的資金。其中包括全球最大的兩家儲存晶片製造商韓國的三星電子(Samsung Electronics Co., 005930.SE)和海力士半導體(SK Hynix Inc., 000660.SE),以及全球最大的代工晶片製造商台灣積體電路製造股份有限公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., 2330.TW, 簡稱﹕台積電)。

在美國商務部提出《晶片法案》護欄條款細則之前,韓國通商交涉本部長安德根(Ahn Duk-geun)最近在首爾表示,美國對出口到中國的先進製程晶片和晶片製造設備的限制將使韓國公司更加難以繼續在中國投資。

安德根表示,有關在華投資的決定將由韓國公司自行作出。

美國商務部長雷蒙多(Gina Raimondo)表示,拜登政府並不尋求在經濟上與中國脫鉤。

「我們希望美國企業繼續在中國做生意,繼續與中國做生意。反之亦然,」她在接受《華爾街日報》(The Wall Street Journal)採訪時說。「但我們確實必須睜大眼睛,警惕美國面臨的風險」。

雷蒙多還表示,中國已表明希望獲得最先進的美國技術,將其融入該國軍事能力,「我們不能允許發生這種情況,」她說。

雷蒙多表示,她可能在今年秋季訪華,以保持與中國溝通渠道暢通,並確保美國企業能夠在一個公平的競爭環境中運營。

目前,被認為有可能獲得《晶片法案》補貼的一些大公司基本沒有公開發表評論。

三星表示,公司一直在「與美國和韓國的相關政府部門密切探討」,計劃在評估資金細節後確定其下一步行動。

三星正在德克薩斯州泰勒市建造一座先進製程晶片製造廠,項目造價170億美元;去年該公司還提出了未來可能在德克薩斯州晶片製造廠方面投資至多2,000億美元的計劃。

海力士半導體已經披露了將在美國興建一座新的先進製程晶片封裝廠的計劃,建成後這裡將進行半導體製造過程的最後步驟。該公司表示,通過韓國和美國政府之間的會談,不確定因素已被消除,公司將密切關注華盛頓的公告。

台積電不予置評。該公司計劃斥資400億美元在亞利桑那州打造一個廠區,生產先進製程晶片。

美國總統拜登(Joe Biden)在去年8月簽署成為法律的《晶片法案》旨在重振美國在先進半導體技術領域的領先地位,並抵禦來自中國的競爭。該法案禁止企業在相關外國國家進行涉及尖端和先進半導體產能實質性擴張的重大交易。

擬議的規則將「重大交易」定義為規模至少10萬美元的交易,將「實質性擴張」定義為設施產能提高5%。這些規則涵蓋的時間範圍為10年,這將允許公司對其長期中國戰略做出調整。

研究機構榮鼎集團(Rhodium Group)的中國企業諮詢總監Reva Goujon說:「美國這種做法本質上是利用產業政策,將半導體供應鏈引向它想要的方向,而這個方向顯然是遠離中國的。」

她說,這項政策向這些公司發出了一個「明確的信號,即在中國生產尖端半導體將是不可持續的」。

美國商務部直截了當地解釋了這種限制的必要性。

商務部在擬議規則的文本中說:「這些門檻旨在限制試圖擴大製造能力的交易,即便規模不大的交易也不會放過。」該規則現在要經過60天的公眾評議期,然後在今年夏天敲定。

針對接受補貼資金的公司與有關外國實體進行聯合研究和技術許可的活動,該計劃也施加了一些限制。

對於晶片製造商來說,設在中國的工廠代表著多年的投資,且這些工廠佔全球晶片產能的相當大一部分。

三星在中國中部城市西安建有一家NAND閃存晶片廠,在中國東部城市蘇州有一家晶片封裝廠。海力士半導體在無錫運營DRAM內存晶片生產廠,並通過2020年達成的一項交易擁有英特爾公司(Intel Corp., INTC)在大連設立的NAND閃存晶片工廠。

台積電在中國的南京和上海都有晶片生產廠。

根據科技市場研究機構TrendForce的數據,截至去年,三星的西安工廠產量約佔全球NAND閃存產量的16%,而海力士半導體的無錫工廠約佔全球DRAM內存產量的12%,其大連工廠約佔全球NAND閃存產量的6%。

根據TrendForce的數據,台積電的上海和南京工廠共占該公司晶片代工總產能的6%。

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