鰭式場效電晶體(FinFET)：將半導體製程帶入新境界
MOSFET的結構發明以來到現在已使用超過四十年，當閘極長度縮小到20奈米以下的時候遇到了許多問題，其中最麻煩的就是當閘極長度愈小，源極和汲極的距離就愈近，閘極下方的氧化物也愈薄，電子有可能偷偷溜過去產生「漏電(Leakage)」；另外一個更麻煩的問題，原本電子是否能由源極流到汲極是由閘極電壓來控制的，但是閘極長度愈小，則閘極與通道之間的接觸面積愈小，如圖三(a)綠色箭頭所示，也就是閘極對通道的影響力愈小，要如何才能保持閘極對通道的影響力(接觸面積)呢？
因此美國加州大學伯克萊分校胡正明、Tsu-Jae King-Liu、Jeffrey Bokor等三位教授發明了「鰭式場效電晶體(FinFET：Fin Field Effect Transistor)」，把原本2D構造的MOSFET改為3D的FinFET，如圖三(b)綠色箭頭所示，因為構造很像魚鰭 ，因此稱為「鰭式(Fin)」。
由圖中可以看出原本的源極和汲極拉高變成立體板狀結構，讓源極和汲極之間的通道變成板狀，則閘極與通道之間的接觸面積變大了，這樣一來即使閘極長度縮小到20奈米以下，仍然保留很大的接觸面積，可以控制電子是否能由源極流到汲極，因此可以更妥善的控制電流，同時降低漏電和動態功率耗損，所謂動態功率耗損就是這個FinFET由狀態0變1或由1變0時所消耗的電能，降低漏電和動態功率耗損就是可以更省電的意思囉！
胡正明教授曾任台積電技術執行長，現在大家知道台積電為什麼在FinFET製程會領先英特爾和三星了吧！但是要記得，把FinFET的技術帶進台積電是一回事，要把良率做高是另外一回事，台積電領先英特爾和三星最明顯的還是良率，這個和晶圓材料的品質、特用化學品的純度、製程參數的控制等息息相關，是整個團隊共同努力的成果。（延伸閱讀：晶片龍頭只有英特爾？AMD和英偉達藉收購案發起挑戰）
這裡要特別注意，一般我們說的65、45奈米在MOSFET上是指「閘極長度」，但是到了14、10、7、5奈米在FinFET上指的其實是概念上的「平均長度」，只能當做是商品名稱，而不是真的閘極長度，這主要是因為FinFET電晶體的結構比較複雜，因此各家廠商都定義了各自不同的「平均長度」計算方式，所以當我們聽到英特爾、台積電、三星的「10奈米」製程，許多人都把它們當成同一個東西拿來比較，其實這樣比較是不正確的。
