七年來中研院光電所研究人員突破了高均勻性照明、超分辨光刻鏡頭、奈米級分辨力檢焦 (Focus) 及間隙測量、超精密及多自由度 (Multiple Degree of Freedom) 工件台與控制等多種關鍵技術，完成國際上首座分辨力最高的紫外超分辨光刻裝備種型，其採用365 nm 波長光源，單次曝光最高線寬分辨力達到22 nm 約1/17 曝光波長，在此基礎上還結合了超分辨光刻度裝備項目中開發的高深寬比刻蝕 (High aspect ratio etching)、多重圖形 (Multiple Patterning) …等配套工藝，實現了10 nm 以下特徵尺寸圖形的加工。
另一方面，該項目還發表了68篇論文，申請國家發明專利92項，其中授權47項，申請國際專利8項，授權4項，並且培育了一支分辨光刻技術和裝備的研發團隊。中芯國際 (SMIC) 的光刻裝備僅能加工14 nm 的芯片，惟據稱已研發能夠繞開光刻機朝自創7 nm (命名N+1) 接著5 nm (命名N+2) 的量產方向即將實現，
美國商務部最近宣布將中芯國際等80家中企列入實體清單，今後若無美方許可， 美企不得銷售10 nm 及以下製程技術給中芯，不知是否波及N+1和 N+2的創建？最近傳出上海微電子已開發製造22 nm 的光刻機，雖尚無法達到高階智慧手機芯片的要求，但可緩解斷晶之急，另據聞韓國三星已有自創7 nm 的光刻突破技術，而華為、中國科學院早就埋頭苦幹、急起直追，ASML已朝5及2 nm的製程支持蓄勢待發，其獨領風騷的局面可有改寫的一天？
＊作者為工程專業經理人
